第二章制程步骤与量测方法.pdf

第二章 製程步驟與量測方法 2.1 多重閘極結合奈米多通道電晶體結構製程 1. 首先，藉由在980℃高溫爐管 中通入氧氣與氫氣與矽反應長出1 um 的wet oxide(濕氧生長的氧化膜) 作為buffer oxide ，然後在780 ℃下使用 低壓化學氣相沉積系統 (Low Pressure Chemical Vapor Deposition ， LPCVD)沉積50 nm 氮化矽(Si3N4)作為etch stop layer(蝕刻停止層) ，再使 用LPCVD在700 ℃下沉積 100 nm 氧化矽(SiO2) 並用光罩定義出Step 區域，然後使用氧化矽乾式蝕刻機(TEL 5000)蝕刻 100 nm ，使SiO2形成 階梯形狀，如圖 2-1 、2-2 。 2. 接著使用LPCVD 550 ℃下沉積非晶矽薄膜(a-Si)厚度為100 nm後 ， 使用光罩和多晶矽乾式蝕刻機(LAM 9400)來蝕刻定義出主動層及奈 米線側壁子，如圖 2-3 。 3. 為了增加遷移率，我們使用水平爐管在600 ℃下做傳統的固化結晶 方法 ，固相結晶法是一種使用高溫令非晶矽薄膜轉變成複晶矽薄膜的 方法 。在一般情況下都會先做閘極在做離子佈植，但因為我們的閘極 中含有Al要避免高溫，故我們先做離子佈植。所以我們 接著使用 LPCVD在700 ℃下，沉積TEOS oxide 5 nm ，當作犧牲氧化層，然後先 + 15 -2 上閘極光罩再曝光，然後以磷(P )5×10 cm ，能量15 KeV 做離子佈植 （形成源極與汲極），然後使用LPCVD在600 ℃通入氮氣做12小時離 子活化，修補因離子佈植所造成的損害。 4. 使用氫氟酸(DHF)溶液將犧牲氧化層以及SiO2(steps)蝕刻去除，每個 長條形狀的SiO2都會生成兩條複晶矽側壁子(spacer)奈米通道，完整的 主動區Source/Drain 及奈米線，如圖 2-4 。 5. 之後在700 ℃下使用LPCVD ，通入TEOS和O2 沉積出40 nm TEOS oxide薄膜當作閘極氧化層 SiO2 ，接著使用多層金屬濺鍍系統(FSE Cluster PVD) 沉積80 nm Al-Si-Cu ，以及氮化鈦(TiN)厚度 200 nm ，接 著加上光阻，使用金屬乾式蝕刻機(TCP 9600) ，蝕刻TiN 200 nm 與 Al-Si-Cu 80 nm ，定義出金屬閘極，如圖 2-5 、2-6 。 6. 並用PECVD沉積300 nm 的TEOS oxide ，然後塗佈光阻(contact光罩) 接著使用Buffered Oxide Etchant(HF:NH4F=1:10)定義出contact holes ，然 後使用FSE Cluster PVD 沉積金屬層Al-Si-Cu 400 nm ，最後以金屬層乾 式蝕刻機蝕刻來定義閘極、源極與汲極之間的金屬連線，如圖 2-7 、 2-8 。圖 2-9是我們移除了strip後奈米多通道與主動區的In-line SEM俯 視圖。 2.2多重閘極結合奈米多通道電晶體降低汲極電場之T 型閘極結構製程 1. 首先，藉由在980℃高溫爐管 中通入氧氣與氫氣與矽反應長出1 um 的wet oxide(濕氧生長的氧化膜) 作為buffer oxide ，然後在780 ℃下使用 低壓化學氣相沉積系統 (Low Pressure Chemical Vapor Deposition ， LPCVD)沉積50 nm 氮化矽(Si3N4)作為etch stop layer(蝕刻停止層) ，再使 用LPCVD在700 ℃下沉積 100 nm 氧化矽(SiO2) 並用光罩定義出Step 區域，然後使用氧化矽乾式蝕刻機(TEL 5000)蝕刻 100 nm ，使SiO2形成 階梯形狀，如圖 2-1 、2-2 。 2. 接著使用LPCVD 550 ℃下沉