rh 掺杂的ru 2 si3 的电子结构及光学性质 - 发光学报.pdf

第33卷摇 第9期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾33 No郾9 2012年9月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Sept. ,2012 文章编号:1000鄄7032(2012)09鄄0960鄄06 Rh掺杂的Ru Si 的电子结构及光学性质 2 3 1 1* 2 1 崔冬萌 ,贾摇 锐 ,谢摇 泉 ,赵珂杰 (1. 中国科学院微电子研究所,北京摇 100029; 2. 贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州 贵阳摇 550025) 摘要:采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru Si 掺Rh 2 3 原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru Si 的晶胞体积有所增大,Rh 2 3 替换Ru芋位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为着 (0)=25.2014,折射 1 率n 的值有所增大为5.02。0 关摇 键摇 词:掺杂Ru Si ;电子结构;光学性质;第一性原理 2 3 中图分类号:O471.5;O481.1摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0960 First Principle Calculation of The Electronic Structure and Optical Properties of Rh鄄doped Ru Si Semiconductors 2 3 1 1* 2 1 CUI Dong鄄meng ,JIA Rui ,XIE Quan ,ZHAO Ke鄄jie (1. Institute of Microelectronics of ChineseAcademy of Sciences,Beijing 100029,China; 2. Institute of New type OptoelectronicMaterials and Technology,Guizhou University,Guiyang 550025,China) *Corresponding Author,E鄄mail:jiarui@ Abstract:The electronic structure and optical properties of impurity Rh鄄doped Ru Si have been