晶态ge 1sb4te7 的可逆阻变新机理的第一性原理研究.pdf

第 卷 第 期 中国科技论文 １０ １０ Ｖｏｌ．１０Ｎｏ．１０ 　 年 月 ２０１５ ５ ＣＨＩＮＡ ＳＣＩＥＮＣＥＰＡＰＥＲ Ｍａ ２０１５ 　 ｙ 　 晶态ＧｅＳｂＴｅ 的可逆阻变新机理的第一性原理研究 １ ４ ７ １ ２ １ ２ ， ， ， 张临川 周 健 宓锦校 孙志梅 　 （ ， ； ， ） 厦门大学材料学院材料科学与工程系 福建厦门 北京航空航天大学材料科学与工程学院 北京 １． ３６１００５２． １００１９１ ： ， 。 ， 摘 要 为了改良相变存储器的工作机理 采用第一性原理计算方法进行了理论研究 结果显示 相变存储材料三元硫系化合 　 ， ， 。 物ＧｅＳｂＴｅ 可通过特定原子的移动实现晶体对称性的部分打破与重建 伴随着这种结构转变 其电阻率会发生显著变化 该 １ ４ ７ “ ” 。 ， 可逆相变引起的电阻转变效应可以归因于 类三中心四电子键 的形成与断裂 这种新相变机制相对于传统的相变存储机制 ， 。 具有较多优点 有利于提高相变存储器的性能 ： ； ； ； 关键词 无机非金属材料 相变存储器 第一性原理 ＧｅＳｂＴｅ １ ４ ７ 中图分类号： 文献标志码： 文章编号： （ ） ＴＰ３３３ Ａ ２０９５２７８３２０１５ 　　　　　 － － － Ｆｉｒｓｔ ｒｉｎｃｉｌｅｓｉｎｖｅｓｔｉａｔｉｏｎｏｆａｎｅｗｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆｒｅｖｅｒｓｉｂｌｅ 　 　 　 　　 　 　 　 ｐ ｐ ｇ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｓｗｉｔｃｈｉｎ ｉｎｃｒｓｔａｌｌｉｎｅＧｅＳｂＴｅ 　 　 　 ｇ ｙ １ ４ ７