硼氮共掺杂碳管门压输运特性第一性原理研究 - 重庆理工大学学报.pdf

第２５卷　第１期 重 庆 理 工 大 学 学报（自然科学） ２０１１年１月 Ｖｏｌ．２５　　Ｎｏ．１ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ） Ｊａｎ．２０１１  硼氮共掺杂碳管门压输运特性第一性原理研究 １ ２ １ １ 韦建卫 ，曾　晖 ，蒲利春 ，刘群英 （１．重庆理工大学 光电信息学院，重庆　４０００５４；２．长江大学 物理科学与技术学院，湖北 荆州　４３４０２３） 摘　　　要：利用结合第一性原理的密度泛函理论的非平衡格林函数数值方法，计算了硼氮共 掺杂（５，５）单壁碳纳米管的电子透射特征和电流电压曲线。结果表明，硼氮共掺杂使得金属型 （５，５）单壁碳管转变为半导体性，硼氮共掺杂使得体系透射峰值随偏压发生非线性变换。门电 压较小时对体系的输运特性的调制才属于线性关系。 关　键　词：硼氮共掺杂；输运特性；调制 中图分类号：Ｏ４６９；Ｏ４７１．１　　　　文献标识码：Ａ 文章编号：１６７４－８４２５（２０１１）０１－００７１－０４ ＦｉｒｓｔＰｒｉｎｃｉｐｌｅＳｔｕｄｙｏｆＧａｔｅＶｏｌｔａｇｅＴｒａｎｓｐｏｒｔＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｆｏｒ Ｂｏｒｏｎ／ＮｉｔｒｏｇｅｎＣｏｄｏｐｉｎｇＮａｎｏｔｕｂｅ １ ２ １ １ ＷＥＩＪｉａｎｗｅｉ，ＺＥＮＧＨｕｉ，ＰＵＬｉｃｈｕｎ，ＬＩＵＱｕｎｙｉｎｇ （１．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ，ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ４０００５４，Ｃｈｉｎａ； ２．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＰｈｙｓｉｃａｌＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＹａｎｇｔｚｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｊｉｎｇｚｈｏｕ４３４０２３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＵｓｉｎｇｔｈｅｎｏｎｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍＧｒｅｅｎ’ｓｆｕｎｃｔｉｏｎｓｃｏｍｂｉｎｅｄｗｉｔｈｆｉｒｓｔｐｒｉｎｃｉｐｌｅｄｅｎｓｉｔｙｆｕｎｃ ｔｉｏｎａｌｔｈｅｏｒｙ，ｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｅｂｏｒｏｎ／ｎｉｔｒｏｇｅｎｃｏｄｏｐｅｄｓｉｎｇｌｅｗａｌｌｅｄｎａｎｏｔｕｂｅｏｆ（５， ５）ａｒｅｓｔｕｄｉｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｃｏｄｏｐｉｎｇｃｏｎｖｅｒｔｓｔｈｅｍｅｔａｌｌｉｃｎａｎｏｔｕｂｅｉｎｔｏ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇｏｎｅ，ａｎｄｎｏｎｌｉｎｅａｒｌｙｃｈａｎｇｅｓｔｈｅｎａｎｏｔｕｂｅ’ｓｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｐｅａｋｗｉｔｈｂｉａｓｖｏｌｔａｇｅ． Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ，ｔｈｅｓｙｓｔｅｍ’ｓｔｒａｎｓｐｏｒｔｐｒｏｐｅｒｔｙｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｉｓｌｉｎｅａｒｏｎｌｙｗｈｅｎｔｈｅｇａｔｅｖｏｌｔａｇｅｉｓｓｍａｌｌ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｂｏｒｏｎ／ｎｉｔｒｏｇｅｎｃｏｄｏｐｉｎｇ；ｔｒａｎｓｐｏｒｔｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ；ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ 　　碳纳米管作为最近１０年最受人瞩目的材料， 纳米管的光电器件的研究逐渐进入困境，研究者 在短时间内从制备、结构到物性和应用都取得了 们逐渐把目光转向掺杂改性碳纳米管，希望它能 系列的突破和进展。但纯碳组份的碳纳米管性能 够成为新型纳米级光电性器件的基体材料。经过 非常易于受到影响，在含有拓扑缺陷结构、杂质和 几年的多方面探索，结果表明，对碳纳米管进行掺 形变时体系的性能大幅改变［１－２］，因而基于纯碳 杂是改变碳管电子输运特性的有效途径［３－６］。因 　　收稿日期：２０１０－０９－２８ 基金项目：国家自然科学基金资助项目；重庆理工大学科研启动基金资助项目（２００８ＺＤ１６）