多量子阱结构的.pdfVIP

第36卷　第3期 . 36　 . 3 ( ) V o l N o 厦门大学学报 自然科学版 　1997年5月 ( ) M ay. 1997　 Jou rnal of X iam en U n iversity N atu ral Science 多 量 子 阱 结 构 的M OV PE 生 长① 陈松岩　陈龙海　黄美纯　刘宝林　洪火国 ( 厦门大学物理学系　厦门　361005) 李玉东　王本忠　刘式墉 (集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区　长春　130023) 摘要　利用金属有机气相沉积技术生长 多量子阱结构, 通过改变生长程序, 得 InGaA sP InP 到了优化的陡峭量子阱界面. 并利用光致发光(PL ) 和X 射线双晶衍射对其界面质量分析, X 射线双 晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度, 在10 K 温度下 PL 谱半峰高宽(FW HM ) 为7 m eV. 关键词　多量子阱, 界面, 金属有机气相沉积 中国图书分类号　 248. 4 TN 量子尺寸效应和应变效应是目前改善光电器件特性非常有效的方法, 特别是随着分子束 外延( ) 和金属有机气相沉积( ) 技术的发展, 围绕着量子效应的半导体材料和器 M BE M OV PE 件的研究成为热门课题[ 1, 2 ] , 由于制备的量子阱结构器件中阱和垒层厚度很薄, 阱和垒层一般 为异质材料, 因此阱垒之间的异质界面质量对量子阱结构特性影响比普通的双异质结结构要 大得多, 改善界面质量是提高量子阱、超晶格结构器件性能关键之一. 对于四元系材料, 精确控 [ 3, 4 ] 制其组分及异质结界面质量等对材料生长条件有更高要求 . 对于多周期的量子阱结构界面质量分析, 人们通常采用X 射线双晶衍射分析. 对于多量 ( ) 子阱结构, 由于界面过渡层 组分过渡层和厚度起伏 的存在, 将引起衍射峰的变化, 为分析界 [ 5 ] 面过渡层, 必须对X 射线双晶衍射进行模拟分析 , 才能分别得到组分和厚度起伏过渡层的 准确信息. 我们利用 技术在不同的生长条件下生长了多周期的 量子阱结构, M OV PE InGaA sP InP 并利用X 射线衍射进行了模拟分析, 讨论了生长条件对多量子阱结构的界面质量的影响, 从 而给出了优化的多量子阱结构的生长条件. 1　射线双晶衍射动力学原理 X 射线双晶衍射的动力学理论是由D arw in 首先提出, 到了六十年代, T akagi 和 T aup in