立志高中96上电子学高三复习考.docVIP

電子學第二章 ◎ 選擇題 ( ) 1. 本質半導體之(A) 電子與電洞的濃度相等　 (B) 電子之數目多於電洞　 (C) 電洞之數目多於電子　 (D) 以上皆非 ( ) 2. 本質半導體中在絕對零度時(A) 其性能等於一金屬導體　 (B) 其性能如同絕緣體　 (C) 具有甚多數的電子與電洞　 (D) 具有少數的電子與電洞 ( ) 3. 在N型半導體中，傳導電流的載子主要是 (A) 電子　 (B) 離子　 (C) 電洞　 (D) 分子 ( ) 4. 霍爾效應最主要是用來決定 (A) 半導體內的磁場　 (B) 半導體內電流的大小　 (C) 金屬的傳導係數　 (D) 半導體是N型材料或P型材料 ( ) 5. 在P型半導體中流動之電流(A) 大多數為電洞的移動　 (B) 大多數為自由電子的移動　 (C) 僅由主要載子的移動　 (D) 僅由副載子的移動 ( ) 6. 整個P型半導體是呈現(A) 負電性　 (B) 正電性　 (C) 電中性　 (D) 視原子序而定 ( ) 7. 在N型半導體中，電洞的濃度隨著溫度的升高而 (A) 視雜質而定　 (B) 不變　 (C) 減少　 (D) 增加 ( ) 8. 電洞乃是半導體中之一空位，其產生是由於 (A) 電子由導電帶向價電帶移動所致　 (B) 原子核移動所致　 (C) 質子跳動所致　 (D) 電子脫離共價鍵所致 ( ) 9. 將微量之磷元素摻入純矽晶體內，則(A) 成為施體雜質　 (B) 成受體雜質　 (C) 只有電洞數目增加　 (D) 只有電子數目增加 ( )10. N型材料中，自由電子濃度差不多等於 (A) 施體　 (B) 受體　 (C) 電洞　 (D) 離子的濃度　 ( )11. 若將微量之硼摻於矽中，則(A) 電洞之數目增加較多　 (B) 自由電子數目增加較多　 (C) 電洞及電子之數目均同量增加　 (D) 電子與電洞之數目均同量減少 ( )12. 若將微量之磷摻於矽中，則(A) 電洞之數目增加較多　 (B) 電子之數目減少　 (C) 電子之數目增加較多　 (D) 電洞及電子之數目均同量增加 ( )13. 半導體加上施體雜質後，電洞數目 (A) 減少　 (B) 增加　 (C) 先增加後減少　 (D) 先減少後增加 ( )14. 一般二極體的雜質和本質濃度比約為 (A) 1：102　 (B) 1：103　 (C) 1：109　 (D) 1：108 ( )15. PN接面二極體的接合面兩側空乏區中 (A) 都有正負離子　 (B) 有電洞　 (C) 各有正負離子　 (D) 有自由電子 ( )16. 障壁電勢乃是其區域內有 (A) 電子　 (B) 電洞　 (C) 正離子及負離子　 (D) 正負電壓 ( )17. 雜質濃度相同之P-N接合二極體之空乏層，以那一型區所佔之寬度較大 (A) N型區　 (B) P型區　 (C) 兩區相等　 (D) 不能比較 ( )18. 下列敘述何者正確 (A) 電源正端接P，負端接N，稱為逆向偏壓　 (B) P端接負，N端接正，稱為順向偏壓　 (C) 外加逆向偏壓時，空乏區的寬度加大　 (D) 外加順向偏壓時，空乏區的寬度立即消失 ( )19. 二極體若加順向偏壓，則 (A) 障壁電壓降低，空乏區寬度減小　 (B) 障壁電壓增加，空乏區寬度減小　 (C) 障壁電壓增加，空乏區寬度增加　 (D) 障壁電壓降低，空乏區寬度增加 ( )20. 半導體PN接合面出現空乏區，在何情況下更加明顯 (A) 斷路時　 (B) 短路時　 (C) 順向偏壓時　 (D) 逆向偏壓時 ( )21. 續上題，利用空乏區可做成 (A) 壓控電容　 (B) 壓控電阻　 (C) 電壓電感　 (D) 隧道二極體 ( )22. 二極體加上順向電壓時，會有 (A) 過渡電容　 (B) 位障電容　 (C) 漂移電容　 (D) 擴散電容 ( )23. 二極體加上逆向電壓時，會有 (A) 位障電容　 (B) 過渡電容　 (C) 漂移電容　 (D) 擴散電容 ( )24. 二極體施以逆向電壓時，仍有微小電流產生，此乃因 (A) 主載子的流動所致　 (B) 副載子的流動所致　 (C) 主副載子同時流動所致　 (D) 以上皆非 ( )25. 一般PN矽質二極體兩端順向電壓隨溫度變化的情形為 (A) +2.5mV/°C　 (B) +1mV/°C　 (C) -2.5mV/°C　 (D) -1mV/°C ( )26. PN二極體是 (A) 線性元件　 (B) 非線性元件　 (C) 拋物線元件　 (D) 以上皆非 ( )27. 所謂