高临界温度超导体临界温度的电阻测量法 - 张楚珩的仓库.pdfVIP

高临界温度超导体临界温度的电阻测量法 实验报告 张楚珩（121120173） 2015年4月24日 1 引言 高临界温度超导体的发展过程可以简要地在在下面列出 • 1911年荷兰物理学家Kamerlingh Onnes发现，将水银冷却到稍微低于4.2K的温度 时，其电阻下降到零。他认为这种电阻突然消失的现象，是由于物质转变到了新的 状态，并将这种以零电阻为特征的金属态命名为超导态。 • 1933年Meissner和Ochsenfeld发现超导电性的另一特征：超导态时的磁通密度为 零，表现为完全的抗磁性，即Meissner效应。电阻为零以及完全的抗磁性是超导电 性的两个最基本的特性。超导体从具有一定电阻的正常态，转变为电阻为零的超导 态的温度，称为临界温度 。 • 1968年以前，人们经过70多年的努力才获得了最高临界温度为23K的 高临界温 度的超导材料。 • 1986年4月，Bednorz和Muller创造性地提出了在 系化合物中存在 高临界温度超导体的可能性。 • 1687年初，中国科学院物理研究所赵忠贤等在这类氧化物中发现了 的超导 电性。 • 1687年2月初，美籍华裔科学家朱经武在 系中发现了 的超 导电性。 • 1988年1月，日本科学家HirashiMaeda报道研制出临界温度为106K的 系新型高温超导体。 • 1988年2月，美国阿肯萨斯大学的Allen Hermann和Z. Z. Sheng等发现了临界温度为 106K的 系超导体。 • 1988年3月，IBM的Almaden又将这种体系的超导体的临界温度提高到了125K。 1 张楚珩 南京大学物理学院 sealzhang.tk • 1989年5月，中国科技大学的刘宏宝等通过用Pb和Sb对Bi的部分取代，使得 系超导材料的临界温度提高到了130K。这是迄今为止报道的最高的临界 温度。 氧化物超导材料成材困难、韧性差、临界电流密度低，临界磁场不高等缺点局限了高温超 导材料的应用，但已有包银铋锶钙铜氧组成线材获得越来越多的应用。 2 实验目的 1. 分别利用动态法和稳态法测量高临界温度氧化物超导材料的电阻率随温度变化的关 系。 2. 通过实验掌握利用液氮容器内的低温空间改变氧化物材料温度、测温及控温的原理 和方法。 3. 学习利用四端子法测量超导材料电阻和热电势的消除等基本实验方法以及实验结果 的分析与处理。 3 实验原理 3.1 临界温度 的定义及其规定 超导体具有零电阻效应，通常把外部条件（磁场、电流、应力等）维持在足够低值时 电阻突然变为零的温度称为超导临界温度。实验表明，超导材料发生正常→超导转变时， 电阻的变化是在一定的温度间隔中发生,而不是突然变为零的，如图1所示。起始温度 为 R-T曲线开始偏离线性所对应的温度；中点温度 为电阻下降至起始温度电阻 的一半时 的温度；零电阻温度T为电阻降至零时的温度。而转变宽度∆ 定义为 ，下降到90%及10%