magnetic and electronic properties of ce doped si films（ce添加si .pdfVIP

称号及び氏名 博士 （工学） 進藤 大輔 学位授与の日付 平成23 年 3 月31 日 論 文 名 Magnetic and Electronic Properties of Ce doped Si Films (Ce 添加 Si 薄膜の磁気及び電気特性) 論文審査委員 主査 藤村 紀文 副査 石原 一 副査 河村 裕一 論文要旨 電子の電荷のみをデバイスとして利用してきた半導体エレクトロニクスに代わり、スピンの自由度 を同時に利用することにより新たな機能を発現させる 「スピントロニクス」が注目を集めている。メ タルベースのスピントロニクスデバイスとして、巨大磁気抵抗効果や トンネル磁気抵抗効果を用いた 磁気メモリやセンサーはデバイス化されているものの、半導体ベースのスピントロニクスデバイスは 未だ発展途上である。半導体でありながら磁気的な性質を示す希薄磁性半導体は、II-VI 族化合物半導 体を用いた光物性の研究を先導に研究が進められ、III-V 族化合物半導体であるInAs や GaAs にMn を添加した薄膜において強磁性相転移が確認されたことを契機として、半導体スピントロニクス応用 に向けた物質探索が精力的に行われている。しかしながら現行のSi をベースとした集積回路技術との 整合性を考慮した場合、技術融合性の高い Si や Ge といったIV 族半導体をベースとした希薄磁性半 導体の開発は非常に重要な課題であるものの、IV 族半導体への磁性イオンのドーピングが困難である ため、ほとんど進展していないのが現実である。 本研究室では、希土類元素であるCe を添加したSi ベースの希薄磁性半導体の磁気特性および磁気 輸送特性に着目している。これまでに、分子線エピタキシー （Molecular Beam Epitaxy: MBE）法を用 いて成長温度700 C 以上で作製したCe 添加 Si （Si:Ce）薄膜において、p 型の電気伝導と強磁性的な 磁化挙動、磁気輸送特性を確認している。しかしながら、成長温度が高温であるため異相であるセリ ウムシリサイ ド （CeSi ）が反応物として析出する問題が顕在化し、Ce 原子を均一に分散させること x ができなかった。CeSi は Si 組成によって反強磁性、強磁性、非磁性と多彩な磁気構造を有すること x から、Si:Ce 薄膜固有の磁気特性の評価を困難にしていた。このような経緯から、CeSi の析出を抑制 x しCe を均一にドーピングすることを目的として、低温MBE 成長の技術開発が行われた。成長前試料 表面の改質や高温エフージョンセルの改良によって薄膜への不純物混入を抑制し、成長速度および成 長温度の最適化を行 うことで異相の析出のない良好な単結晶 Si:Ce 薄膜の成長が可能となった。低温 成長したSi:Ce 薄膜は、高温で成長したものと比較してCe 原子が均一に分散しており、高い平坦性と 急峻な界面を有していた。しかしながら、高温で成長した Si:Ce とは異なり、多くはn 型伝導を示し 常磁性であった。 このような背景を踏まえて本論文では、Si:Ce 薄膜の強磁性の起源を理解することを目的として、低 温成長したSi:Ce 薄膜中に形成するCe 由来の準位と磁気特性との相関に注目した。最初にCe 濃度を 系統的に変化させて作製した低温成長 Si:Ce 薄膜の、キャリアタイプとキャリア濃度を電気的に評価 した。そして Si:Ce のバンドギャップ中に、どのような準位が形成しているかを評価した。また、浅 いアプセプターを共添加することによってフェルミ準位を変化させた場合の磁気および磁気輸送特性 を評価し、Si:Ce 薄膜の強磁性発現のメカニズムについて考察した。さらに、電界によってキャリア濃 度を変化させることを目的として、強誘電体をゲート絶縁膜に用いた金属/強誘電体/Si:Ce 積層構造を 作製し、その界面の誘電特性を評価した。また、Ce を高濃度にド