第五章薄膜淀积工艺(上).pptVIP

图13.1 简单的热CVD反应器 再回到图13.1的系统， ■ 假设系统温度均匀，气流速 度在硅片表面降低到零，且 腔体高度足够大，使硅片上 方气流具有均匀速度。 ■ 边界层（滞流层）近似： 在边界层中气流速度为零，在边界层外气流速度为v∞ 倾斜角度需根据特定工艺进行优化 1）边界层的厚度与沿气流方向的位置有关，即 为维持淀积速率的均匀，必 须保证边界层的厚度均匀。 ■ 一般采用楔形基座， 淀积表面朝气流方向倾斜。 结论 2）气相输运的扩散系数与温度的关系式有： 显然，与体扩散系数相比，De 对温度的依赖性要弱得多。 总之，CVD过程受限于 1）化学反应；或2）气相输运 对决定CVD薄膜淀积速率～温度关系是至关重要的。 3）化学反应速率系数与温度的关系式有： 图13.8 CVD 淀积速率与温度的函数关系 6、CVD 淀积速率与温度的关系 实验结果显示： (1) 低温度下，淀积速率随温度倒数 减小而增加 化学反应速率限制区 淀积速率是温度的敏感函数 (2) 高温度下，淀积速率随温度倒数 减小的增加幅度趋缓 质量输运速率限制区 淀积速率是气体浓度的敏感函数， 需控制气流及腔室设计 教材第256～257页：第1、2题 教材第352页：第1题 课后作业 第五章 薄膜淀积工艺 （上） 薄膜淀积（Thin Film Deposi