n型半导体とp型半导体.docVIP

n型半導体とp型半導体 ケイ素(Si)やゲルマニウム(Ge)の電気伝導度は金属も伝導度よりも小さく、これらの結晶は半導体と呼ばれている。金属と半導体の電気伝導度の温度依存性は全く異なり、金属の電気伝導度は温度上昇に伴って減少するのに対して、半導体の電気伝導度は温度上昇に伴って急増する。SiやGeも定性的には同じ性質を示すので、以下はSiについて説明する。 図 シリコン原子の核外電子の配列 Si原子は第14族元素なので最外殻に4個の電子をもっている。Si原子はこれらの電子を共有することによって生じる化学結合、すなわち共有結合によってダイヤモンド構造の結晶をつくる。偏析現象を利用したチョクラルスキー(CZ)法や浮遊帯溶解(FZ)法などにより、高純度で格子欠陥の少ないSiのよい単結晶がつくられている。よい結晶は、温度が低いときには電気を運ぶ担体(キャリヤー)がないのでほとんど電気を通さず、一方、温度が上昇すると電子は熱エネルギーによって励起されて結晶内を動ける電子(伝導電子)となるので電気を通すようになる。このような半導体を真性半導体という。真性半導体では、共有結合を切って出ていった電子のぬけた孔(空孔)を利用して電子が動くことができる。電場をかけたときの空孔の運動は+eの正電荷をもった粒子の運動と同等なので、この仮想的な粒子を正孔(ホール)と呼び、実体のある荷電粒子のように扱っている。真性半導体では同数の伝導電子と正孔が存在し、これからは電場をかけたときお互い逆方向に移動して電気を運ぶキャリヤーとなる。 図、 不純物半導体の模型 シリコンにⅤ族の原子を加えた場合 高純度のSiの結晶に第15族の元素(例えば、りんP)をわずかに加えると、この元素はSiとおきかわる。Pは最外殻に5個の電子をもっているので、最近接のSiと共有結合を形成したときに電子が１個余ってしまう。この余った電子はPにゆるく束縛されているので、少しの熱エネルギーをもらっただけで伝導電子となって電気伝導に寄与する。 このような半導体をn型半導体と呼んでいる。n型半導体では伝導電子の数が多く、伝導電子は多数キャリヤー、正孔は小数キャリヤーとなる。 図、 不純物半導体の模型 シリコンにⅢ族の原子を加えた場合 次に、第13族の元素(例えば、ほう素B)をSiの結晶に加えた場合について考えてみよう、Bは最外殻に３個の電子しかもっていないので、Siとおきかわって最近接のSiと共有結合を形成しようとしたときに電子が１個不足する。したがって、他の共有結合に寄与していた電子は、わずかの熱エネルギーをもらっただけでBの近くに捕らえられる。その結果正孔がつくられ、正孔は電気伝導に寄与するようになる。このような半導体をP型半導体と呼ぶ。P型半導体では正孔の数が多く、正孔が多数キャリヤー、伝導電子は小数キャリヤーとなる。Ｎ型とＰ型 前のページへ 　 　Ｎ型、Ｐ型 　　シリコンに、わずかばかりのリンを混ぜてみる。 　　リン原子の価電子は5個である。 　　リン原子が他のシリコン原子と同じ様に結合すれば電子は１個余ることになる。 　　この余った電子は、ナトリウムの価電子と同様に、「自由電子」になりやすい。 　　一方、シリコンに、わずかばかりのホウ素を混ぜてみる。 　　ホウ素原子の価電子は３個である。 　　ホウ素原子が他のシリコン原子と同じ様に結合すれば電子は1個不足することになる。 　　この電子が不足した場所のことを「ホール」という。（又は正孔ともいう） 　　この不足した場所に周りのシリコン原子から電子が入ると安定状態となるが、また別の場所が不足することになる。 　　結晶全体としては、常に、「電子の居場所が余っている」状態となる。 　　このようにして、不足と安定を繰り返しながら、自由電子と同様に「ブラスの電子」が移動しているように見える。 　　このように、電子が移動していくように移動していくホールのことを「自由ホール」という。 　　シリコンにリンを混ぜた結晶を「Ｎ型」の半導体という。 　　シリコンにホウ素を混ぜた結晶を「Ｐ型」の半導体という。 　　Nは「ネガティブ」の略で、Pは「ポジティブ」の略である。 　　自由電子や自由ホールは、電荷を運んで、電流を流す役目をするので、これらをキャリア（carrier）と呼ぶ。 　　P型半導体を作るために混入させた3価の原子を、アクセプタ（acceptor）と呼ぶ。 　　N型半導体を作るために混入させた5価の原子を、ドナー（donor）と呼ぶ。 　　Ｎ型半導体 　　　リン（P）をSi原子に入れる（置換する）と、電子が一つ過剰になる。 　　　この電子は、価電子帯に入れる軌道がどこにもないので、伝導帯の軌道に入り、自由に動き回ることができるようになる。