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2 术语和符号
2.1 术语
2.1.1. 雷击电磁脉冲 lightning electromagnetic impulse ( LEMP )
是一种干扰源。指闪电直接击在建筑物防雷装置或建筑物附近所引起的效应。绝大多数
是通过连接导体的干扰,如雷电流或部分雷电流、被雷电击中的装置的电位升高以及电磁干
扰。
注:雷击电磁脉冲是一种强干扰,可能使建筑物内电气和电子系统失效甚至损坏。其电磁干扰主要是
磁场效应及其在环路中的感应电压和电流。
2.1.2. 雷电侵入波 lightning surge on incoming services
由于雷电对架空线路或金属管道的作用,雷电波可沿着这些管线侵入屋内,危及人身安
全或损坏设备。
2.1.3. 反击 back-stroke
由于雷电流流经防雷装置时造成的电位升高而引起对其他金属部件、设备、引线的放电
或击穿。
2.1.4. 操作过电压 switching overvoltage
由于电网内部操作、故障等引起的瞬态过电压。
2.1.5. 信息系统 information system
建筑物内许多类型的电子装置,包括计算机、通信设备、控制装置等的统称。
2.1.6. 电子系统 electronic system
信息系统和电力电子系统的统称。
2.1.7. 防雷装置 lightning protection system LPS
接闪器、引下线、接地装置、电涌保护器及其它连接导体的总和。
注:在 GB 50057-94 (2000 年版)第三章将接闪器、引下线、接地装置及一部分防雷电波侵入和防雷电
感应的措施称为防雷措施并分为三类。第四章防雷装置只包括接闪器、引下线、接地装置。本术语引
自该标准附录八,将电涌保护器也纳入防雷装置。
2.1.8. 防雷区 lightning protection zone LPZ
需要规定和/或控制雷击电磁环境的区域。
注:根据雷击电磁脉冲不同的程度,以雷电电磁环境(雷电流,雷电电磁场)显著变化为特征,将需
要保护的空间分成不同的雷电保护区,标定各区域为LPZO 、LPZO B 、LPZ 区及后续各区(LPZ 等)。通
A B 1 2
常区号越大,电磁环境越弱。其中:
LPZ0A 为直接雷非防护区,该区内各类物体都可能遭到雷击,电磁
场没有衰减,属于完全暴露的不设防区
LPZ0 B 为直接雷防护区,该区内各类物体很少可能遭到雷击,电磁
B
场仍没有衰减,属于暴露的直接雷设防区
LPZ0 为第一雷电屏蔽防护区,该区内各类物体不可能遭到直接雷击,由于进入的雷电流较
1
LPZ0 B 区为小以及建筑物的屏蔽,本区的电磁场得到初步的衰减。
B
LPZ 为第二雷电屏蔽防护区,该区内各类物体当然也不可能遭到直接雷击,由于进入的雷电流
2
进一步减少和其他屏蔽措施,本区的电磁场得到进一步的衰减
根据需要还可以设置更高级的雷电屏蔽防护区LPZ3 ‥‥等
2.1.9. 等电位连接 lightning equipotential bonding
将分开的装置、各种导电物体用等电位连接导体或电涌保护器连接以减小雷电流在它们
之间产生的电位差。
注:电涌保护器只有在雷电下才成为等电位连接的一种措施。
2.1.10. 电涌保护器 Surge protective device
用于分泄瞬态电流并限制瞬态电压的器件。它至少含有一个非线性的防护元件。
注:“电涌保护器”是我国标准术语。在有些文件中又称之为浪涌保护器、过电压保护器、防雷保安器,
这些是非我国标准用语。是否将其中主要用于泄放直接雷击电流或其一部分的电涌保护器称为“避雷器”,
还在研究中。
2.1
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