五、验收标准.docVIP

國家奈米元件實驗室 目錄 頁次 一、 說明： 3 二、 規範： 3 三、 規格文件 7 四、 檢驗測試驗收： 8 五、 保固： 8 六、 附件一、二 9 一、 說明： 本規範適用於財團法人國家奈米元件實驗室本次採購之，其他詳如章節詳細規定；本規範如有任何疑慮依業主解釋為準。二、 規範： 2.1 設備定位： 2.1.3. 進行定位中，應以水平儀或相等之檢測設備進行三區之水平與連結檢測。務達設備之水平標準為主，務達設備間無位移差之連結。 2.1.4. 重新定位後，於地板上安裝固定裝置，該固定裝置應能符合強震之搖晃，確保設備在強震下不會再產生位移。固定裝置材質應為不繡鋼，且厚度至少應為5 mm以上。 2.1.5. 完成定位後，安裝三區間連結固定之裝置，確保設備在強震下三區間不會再產生不等之搖晃程度。連結固定裝置材質應為不繡鋼，且厚度至少應為5 mm以上。 2.2 故障維修與復機：2.2.2. 控制系統：控制電腦無法開啟、軟硬體維修與運作檢測、電腦與爐管主體連結維修與運作檢測、系統電源運作檢測。 2.2.3. 晶圓進出爐管之輸送系統：步進馬達裝置維修與運作檢測、裝載晶圓之Paddle維修與運作檢測、管口密合調校與運作檢測。 2.2.4. 本區所有損毀之石英管材訂製、更換及運作檢測。細項請見附件二。 爐管區 2.2.5. 爐管水平調校。 2.2.6. 真空系統：控制系統與真空系統連結維修與運作檢測、乾式幫浦維修與運作檢測、真空管路維修與運作檢測、LPCVD管內低壓運作檢測（真空須達1 mTorr，以控制軟體介面顯示所示）。 2.2.7. 高溫系統：加熱系統維修與運作檢測、溫度量測系統維修與運作檢測、溫度精準度調校。 2.2.8. 本區所有損毀之石英管材訂製、更換及運作檢測。細項請見附件二。 氣源供應區 2.2.9. 氣體供應系統：氣體（如：O2、N2及Ar）管路維修與運作檢測、氣體接頭維修與運作檢測、危險氣體（如：SiH4及H2）供應運作檢測、MFC氣體流量精準度調校與運作測試、濕氧式氧化製程水供應調校與運作測試。 2.2.10. 本區所有損毀之石英管材訂製、更換及運作檢測。細項請見附件二。 2.3 復機後製程測試： 2.3.1. Tube 1 APCVD乾氧式與溼氧式氧化製程測試分別以執行1,000 Angstroms與5,000 Angstroms SiO2 氧化製程為主。膜厚檢測與驗收標準請見5.1項。 2.3.2. Tube 3 LPCVD低壓多晶矽沉積製程測試以執行1,000 Angstroms Poly-silicon 製程為主。膜厚檢測與驗收標準請見5.2項。 2.3.3. Tube 4高溫退火製程測試以執行自待機溫度400 oC穩定升溫至1,000 oC為主。溫度檢測與驗收標準請見5.4項。 2.3.4. 以上製程執行程式均以控制電腦已內建之執行程式為主。 三、 文件： 投標時應檢送之相關證明文件。 四、 ：、測試提報驗收。驗收標準為6吋晶圓均勻性小於% 以內000 Angstroms與濕氧式5,000 Angstroms SiO2製程為標準，量測6吋晶圓十字形共9點為準：中心點位於晶圓圓心，以十字型方向各延伸兩點，兩點各距圓心2.5㎝及5㎝。驗證方式以本實驗室之分佈來檢測其均勻性。驗收標準為晶圓均勻性小於% 以內000 Angstroms製程為標準，量測6吋晶圓十字形共9點為準：中心點位於晶圓圓心，以十字型方向各延伸兩點，兩點各距圓心2.5㎝及5㎝。驗證方式以本實驗室之分佈來檢測其均勻性。– 膜厚最小值）/ 2 x 膜厚平均值。 Tube 4高溫退火製程測試驗收標準為機台完成報告三份，報告內容需包含設備明細、製程驗收記錄、設備過程及完成後之照片。、 保固： 在一年保固期間內，廠商需提供在台灣地區至少一人以上，專門維修該設備的技術維護人員，可以提供緊急維修的服務。 本實驗室得於保固期間及期滿前，通知廠商派員會同勘查本案所更換之零件，於保固期內若發現瑕疵者(所稱瑕疵，包括損裂、坍塌、損壞、功能或效益不符合契約規定等)，須在一星期內維修完成或有替代品更換(石英耗材則不於此項保固中)。 未依前項約定期限內改正瑕疵、逾期不改正或拒絕改正者，本實驗室得以保固保證金改正之，如有不足，得向廠商求償。 附件一：晶圓十字形點 2. 石英管封蓋 ψ255 Closure Disk (I112034)，2組。 3. 晶片支撐桿 L=1710 ψ33/26 SiC Rod (I062276)，4組。 4. 石英套管 Quartz Sheath L:1450 ψ38/34 (I072076)，3組。 5. 真空用石英管體 Quartz Tube Diff ψ240 L=1653 (I012227)，2組。 6