浙江大学物理学在高新材料中的应用课件二.pptVIP

巨磁阻（Giant Magnetic Resistance）自旋电子学Spintronics 思考题: 想一想: 你了解的物理学与高新技术材料 * The Nobel Prize in Physics 2007 - for the discovery of Giant Magnetoresistance Albert Fert , Université Paris-Sud; Unité Mixte de Physique CNRS/THALES Orsay, France Peter Grünberg, Forschungszentrum Jülich Jülich, Germany 费尔在获得诺贝尔奖之前已经取得多种奖项， 包括1994年获美国物理学会颁发的新材料国际奖， 1997年获欧洲物理协会颁发的欧洲物理学大奖， 2003年获法国国家科学研究中心金奖。 格林贝格尔在学术方面获奖颇丰， 包括1994年获美国物理学会颁发的新材料国际奖 1998年获由德国总统颁发的德国未来奖； 2007年获沃尔夫基金奖物理奖 FM(Co(001)) NM(Cu(001)) (Al-O) FM(Ni-Fe) 2 自旋电子材料的重要效应: 自旋相关散射(磁电阻效应) 上下自旋平行时电子容易通过--低电阻态 上下自旋反平行时电子被散射—高电阻态 金属多层膜的巨磁阻效应 （GMR） 结构： FM金属（1） // 半导体（2） // FM 金属（3） 第一界面， 为 X＝ 0， 第二界面， 为 X＝ X0 两流体模型！ 巨磁阻（Giant Magnetic Resistance） MR读出磁头 非磁层 磁层1 磁层2 磁性随机存储器—— 自旋电子材料一个重要应用 结构: 原理: 记录介质 优点：断电时存储的信息不丢失 不同电子自旋排列表示“0”和“1” Write “ 0 ” Write “ 1 ” 半导体随机存储器 Write “ 0 ” Write “ 1 ” 缺点：断电时存储的信息容易丢失 结构图: 原理图: 记录介质 介质 介质 电极1 电极2 介质 Gap Acceptor Donor 电子结构与半导体 真空管 二极管 晶体管 传统电子学 Metal Gate n+ n+ Ohmic contact Ohmic Contact P-type Si Oxide Electron Inversion layer 场效应晶体管 MOSFET 门电压改变沟道中电子密度 改变导电性 Datta and Das, APL 56, 665 (1990) 自旋极化的电子从铁磁材料一端发射到另一端 门电压改变沟道中电子自旋极化方向 改变导电性 Datta and Das, APL 56, 665 (1990) Schottky Gate FM Metal FM Metal InGaAs Modulation Doped AlGaAs 2DEG Spin Analyzer B Spin Injector 自旋晶体管 自旋电子学 （1）基本问题：自旋的注入、输运和检测 （2）铁磁/半导体结注入方式的困难 （3）自旋Hall效应(新) e- e- e- e- e- 电(荷)流 有热效应、功耗 spin spin spin spin 自旋流 无热效应、功耗 1)自旋注入“使传导电子自旋极化” 即产生非平衡的自旋电子（占有数） n↑ ≠ n↓ 2)自旋传输 自旋电流从FM电极注入半导体: 会在界面和半导体内产生“累积” 自旋弛豫机制: 会使得自旋的非平衡转向平衡。 这个特征时间大约是几十纳秒，足够长！ 3)自旋检测 自旋状态的改变。 去年最新结果自旋注入的一条新路？ 庞磁电阻＋碳纳米管 （CMR）＋CNT） Nature 445（Jan 2007）410－413 LSMO 自旋注入的一条新路？高效率！低温？ ？ 自旋的光检测 场致发光强度 极化度 （右） 自旋Hall效应 （Science 301，1348（2003）；PhysRevLett92,126603(2004)）  理论分析指出： 很多半导体的载流子都具有自旋－轨道耦合作用。 如果 在该半导体上施加纵向电场，将会产生横向自旋流。 （即自旋向上和向下的电子分别沿横向朝相反的方向流动）。 这就会在横向积累不同取向的自旋，