第34讲 8.1 只读存储器、EPROM的应用、其它类型存储器.ppt

8.1.2 只读存储器（ROM） 8.1.3 存储器的应用 8.1.4 其它类型存储器简介 * * 第8章 存储器和可编程逻辑器件简介 8.1.3 存储器的应用 　　　 2．EPROM的应用 8.1.2 只读存储器（ROM） 8.1 半导体存储器 8.1.4 其它类型存储器简介 结束 放映 复习 RAM的优点？缺点？ 存储器的容量如何计算？ RAM如何实现字位扩展？ 1. 固定ROM 　　只读存储器所存储的内容一般是固定不变的，正常工作时只能读数，不能写入，并且在断电后不丢失其中存储的内容，故称为只读存储器。 ROM组成： 地址译码器 存储矩阵 输出电路 图8-4 ROM结构方框图 地址译码器有n个输入端，有2n个输出信息，每个输出信息对应一个信息单元，而每个单元存放一个字，共有2n个字（W0、W1、…W2n-1称为字线）。 每个字有m位，每位对应从D0、D1、…Dm-1输出（称为位线）。 存储器的容量是2n×m(字线×位线)。 ROM中的存储体可以由二极管、三极管和MOS管来实现。 图8-5 二极管ROM 　图8-6 字的读出方法 在对应的存储单元内存入的是1还是0，是由接入或不接入相应的二极管来决定的。 存储矩阵 为了便于表达和设计，通常将图8-5简化如图8-7 所示。 图8-7 4×4 ROM阵列图 有存储单元 地址译码器 图8-5 二极管ROM 　　在编程前，存储矩阵中的全部存储单元的熔丝都是连通的，即每个单元存储的都是1。 用户可根据需要，借助一定的编程工具，将某些存储单元上的熔丝用大电流烧断，该单元存储的内容就变为0，此过程称为编程。 熔丝烧断后不能再接上，故PROM只能进行一次编程。 2．可编程只读存储器（PROM） 　　图8-8 PROM的可编程存储单元 3．可擦可编程ROM（EPROM） 最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM。 浮置栅MOS管（简称FAMOS管）的栅极被SiO2绝缘层隔离，呈浮置状态，故称浮置栅。 当浮置栅带负电荷时， FAMOS管处于导通状态，源极－漏极可看成短路，所存信息是0。 若浮置栅上不带有电荷，则FAMOS管截止，源极－漏极间可视为开路，所存信息是1。 图8-９ 浮置栅EPROM (a) 浮置栅MOS管的结构 (b) EPROM存储单元 带负电 -导通 -存0 不带电 -截止 -存1 　　浮置栅EPROM出厂时，所有存储单元的FAMOS管浮置栅都不带电荷，FAMOS管处于截止状态。 　　写入信息时，在对应单元的漏极与衬底之间加足够高的反向电压，使漏极与衬底之间的PN结产生击穿，雪崩击穿产生的高能电子堆积在浮置栅上，使FAMOS管导通。 　　当去掉外加反向电压后，由于浮置栅上的电子没有放电回路能长期保存下来，在的环境温度下，７０％以上的电荷能保存１０年以上。 　　如果用紫外线照射FAMOS管１０～３０分钟，浮置栅上积累的电子形成光电流而泄放，使导电沟道消失，FAMOS管又恢复为截止状态。为便于擦除，芯片的封装外壳装有透明的石英盖板。 2．EPROM的应用 　　 　　程序存储器、码制转换、字符发生器、波形发生器等。 　 例：八种波形发生器电路。 将一个周期的三角波等分为256份，取得每一点的函数值并按八位二进制进行编码，产生256字节的数据。用同样的方法还可得到锯齿波、正弦波、阶梯波等不同的八种波形的数据，并将这八组数据共2048个字节写入2716当中。 图8-13 八种波形发生器电路图 波形选择开关 256进制计数器 存八种波形的数据 经8位DAC转换成模拟电压。 S3 S2 S1 波 形 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 0 正弦波 000H～0FFH 0 0 1 锯齿波 100H～1FFH 0 1 0 三角波 200H～2FFH ┇ ┇ ┇ 1 1 1 阶梯波 700H～7FFH 表8-2 八种波形及存储器地址空间分配情况 S1、S2和S3：波形选择开关。 　　两个16进制计数器在CP脉冲的作用下，从00H～FFH不断作周期性的计数，则相应波形的编码数据便依次出现在数据线D0～D7上，经D/A转换后便可在输出端得到相应波形的模拟电压输出波形。 图8-14 三角波细分图 　　下面以三角波为例说明其实现方法。 　 　　三角波如图8-14所示，在图中取256个值来代表波形的变化情况。 　　在水