第4讲电磁屏蔽技术04.ppt

实践电磁兼容 - 第三章 电磁屏蔽 杨继深 2002年3月 * 当电磁波在介质中传播时，无论电场还是磁场，它们的幅度都是按照指数规律衰减： E1 = E0e-t/? H1 = H0e-t/? 电磁波衰减为原始强度的1/e或37%时所传播的距离称为趋肤深度。趋肤深度的计算公式为： ? = 0.066 / ( f ?r ?r )1/2 mm ， f 的单位为MHz 常用金属的趋肤深度如下（单位为毫米）： 频率 铜 铝 钢 ?金属 100Hz 6.6 8.38 0.66 0.48 1kHz 2.08 2.67 0.20 0.08 10kHz 0.66 0.89 0.76 1MHz 0.08 0.08 0.008 10MHz 0.02 0.025 0.0025 从吸收损耗的公式可以得出以下结论： 屏蔽材料越厚，吸收损耗越大， 厚度每增加一个趋肤深度，吸收损耗增加约9dB； 屏蔽材料的磁导率越高，吸收损耗越大； 屏蔽材料的电导率越高，吸收损耗越大； 被屏蔽电磁波的频率越高，吸收损耗越大。 实践电磁兼容 - 第三章 电磁屏蔽 杨继深 2002年3月 * 反射损耗与电磁波的波阻抗Zw和屏蔽材料的特征阻抗Zs有关。一般表达式为： R = lg ( Zw / 4 Zs ) dB 从式中可以看出，对于特定的屏蔽材料（Zs一定），被屏蔽的电磁波的波阻抗越高，则反射损耗越大；对于确定的电磁波（Zw 一定），屏蔽材料的阻抗越低，则反射损耗越大。 屏蔽材料的阻抗计算方法为： ? Zs ? = 3.68 ×10-7 ( f ?r /?r )1/2 ? f = 入射电磁波的频率（Hz）， ?r = 相对磁导率，?r =相对电导率 在远场：电磁波的波阻抗为377?。 在近场：电场波和磁场波的波阻抗是不同的，因此做近场屏蔽时，要分别考虑电场波和磁场波的情况。由于电场波的波阻抗较高，因此反射损耗较大。磁场波的波阻抗较低，往往反射损耗较小。 电场波：屏蔽体距离辐射源越近，反射损耗越大。 磁场波：屏蔽体距离辐射源越远，反射损耗越大。 实践电磁兼容 - 第三章 电磁屏蔽 杨继深 2002年3月 * 电偶极天线辐射的是电场，磁偶极天线辐射的是磁场。用这两种天线的辐射模型计算出电磁波的波阻抗，就得到上面的一组公式。 这里假设电场和磁场都是理想的（很纯的），这与实际的情况是不同的。对于电场的计算，比实际情况反射损耗大。对于磁场的计算，比实际的反射损耗小。 因此，对于电场的计算是不安全的。对于磁场的计算是有富余量的。 实践电磁兼容 - 第三章 电磁屏蔽 杨继深 2002年3月 * 反射损耗最大的特点是与电磁波的波阻抗有关。对于特定的屏蔽材料，波阻抗越高，反射损耗越大。对于铜屏蔽材料（其它材料的趋势也大致相同），根据电场源和磁场源的波阻抗变化规律，可以绘出上图。 电磁波类型的影响：电场波的波阻抗较高，因此具有较大的反射损耗。而磁场波的反射损耗较小。但当频率升高时，电场波和磁场波的反射损耗趋向于一致，最终汇合在平面波的反射损耗数值上。 距离的影响：距离电场源越近，则反射损耗越大。这是因为距离电场源越近，电磁波的波阻抗越高。对于磁场源，则正好相反。因此要获得尽量高的屏蔽效能，如果是电场源，则屏蔽体应尽量靠近辐射源，如果是磁场，则应尽量