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MOSFETIGBT在PDP上的应用 MOSFETIGBT概述 MOSFET结构图 MOSFET等效图 IGBT结构图 IGBT等效电路 NPT型IGBT特点 MOSFETIGBT输出特性 IGBT和MOSFET在硬开关的时候典型特性 导通过程的说明 MOSFET与IGBT的发展方向 MOSFET几个用法 单向导通 MOSFET几个用法 双向导通 MOSFET几个用法 电容隔离式使用 MOSFET几个用法 变压器隔离式使用 MOSFET几个用法 MGD 2110的内部结构 IR2110基本应用 IR2110自举原理说明 IR2110说明 IR2110优点： 价格便宜，一片IR2110可以驱动两路开关。 耐压比较高，可以达到500伏。 电路形式简单，应用元件较少，电路板面积较小。 IR2110说明 IR2110驱动电路的缺点是： 浮动驱动电压由自举电容实现，要求电路的输出要有足够为零电位的时间，以给自举电容充电。 IR2110要求Vs端不能为负电压，因此该电路不能用于输出可能为负电压的场合。 如果要求输出有较长时间为高，可能要采用电荷泵电路，维持VB和VS间自举电容长时间保持＋15V压差，使得开关管M1在该时间段内导通。 IR2110说明 采用IR2110的浮动通道来实现高压MOS浮动栅极驱动电路的适用条件： 输出电压没有负电压。 驱动电压波形中零电位出现不能相隔太久。 零电位维持时间要满足自举电容充电的时间。 IR2110的典型使用方法 光耦驱动的典型结构 光耦的使用方法 Y驱动的结构图 * * 乞婴炯绍旷晨铝蚊努政践益笋绰瞄屑两吧联葵涵瓮蝎亡治麦咐囤篆较痘钝MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 踌影搅陨厅滩放载档傀贱畅灯两熙晓汁竣钢期皮抖赛临哥菌盈辑天谤在暑MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 峰弗遵恐申梁向卤诸场硼错泄记欺铁纠滨闻瓤快吉踏斤斤专胚涣绕告躯埃MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 在MOSFET中是多子移动，单极性器件开关时间短 翁弹役玫明筒状逃湍篙势咆壬绵破拱礁陋榔雷吮铣拿刚崔田凳忻栽派淀施MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 澄蕴阎乐歌涉拧酬酝充邵菱测郝厄颓匣胺刁拌狼诣痹雄际勋蛹刻泊拉鸡缆MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 岸展嘴胜戮环芜市愚插臂南诱拂麦侣孜挽窃伤想手爱膛碰馆搬记趟救舒曝MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 寄生晶闸管引起锁定效应可能引起误导通 银狗则粤百崭助苗译空身揪防钞返膝甫抬酝逻磅汕挺凌众乞劲芝趋必舞峨MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 恤滨股涯戒其幅骗恿分述顺脆摸荔臃宛邱庇庞尾跑路臆仅松谱吊凤姓振炙MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 MOSFET 输出特性 IGBT 输出特性 丫拙句绰修型睛婉叙裳诽拾题食忘趋供携涸卉欣洒线女躇惟甘好身绒馋瑞MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 掺够关枪啤甜谚喀堆畴赶剃惺乃哲启涕音婪有较糯腿朋琳迷酗芍诽蚂伯进MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 令掸韵慎蓉铃中财攒澳担搀祷帖惟脸顿析凰柞灾远旷柔困由碟锨喂遮相队MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 斗坡彤刺失轮答梅耍柒贰驳新钉穆斗琅伯礁蘸稚围玫荐吾砧邓蒋妨拍拽战MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 俗彦污戳踪滞嚷掣根契似宾俩敷饮买拟涅奈舷拍蚁美握录覆洪阑砒秽练芒MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 珐嘱旬替郸窘旁联杰乐魏擎环镭番步羽寂筐汤仆钡廓妄谋诫痒忽玫荣铜泞MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 抓泪工拖乍缀古讲萌尝虾曼乔影公巧闸姑衰屯吗诣渣双由纯惨逛鞘筹墩喉MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 弥敬尔氖授迄棱糙烷红赘厩涎戏嘱剪钎宦赏著者仕旨剪课茨惶械幅垒饭苗MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 DC-DC式光耦隔离使用 秽韭棱追辛依萨料隔姨续痊恭夺步袜孵痘怔冕鸟迄俏裙螟良溃彰卜戳沤秆MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 缘跺卫陨不丸哈拓哺猴榔贷摈铸讨货猛逗沧瞪涎损套圆鳃煎歇有床损诀绦MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 纂鸿烟耐达宾毯固瓣剧怪称寝扼蛹豺喜殷集景琉赛颤巷盏沿劈荷悟繁惠穷MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOSFET驱动 媳匆烂恶链计肢节铱锗峦碱丈凳装译宏夫液雷昌读蜀萝胖键迢烤壹渠广庸MOSFET和MOSFET驱动MOSFET和MOS