肖特基二极管原理和常用参数和检测方法.pdfVIP

肖特基二极管原理 肖特基势垒二极管SBD （Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近 年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小 到几纳秒），正向导通压降仅 0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。这些 优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用 封装形式。 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N 型硅片）的接触面上，形成肖 特基势垒来阻挡反向电压。肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异。其 耐压程度只有 40V 左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。 因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结” 的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、 钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为 N 型半导体。这种器件是由多 数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多。 由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC 时间常数 限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且， MIS （金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二 极管。 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主 要特点是具有较低的正向压降（0.3V 至 0.6V ）；另外它是多子参与导电，这就 比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极 的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A 为正极，以 N 型半导体 B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电 子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存 在空穴自 A 向 B 的扩散运动。随着电子不断从 B 扩散到 A，B 表面电子浓度表面 逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为 B→A。但在该 电场作用之下，A 中的电子也会产生从 A→B 的漂移运动，从而消弱了由于扩散 运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运 动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用 砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用 来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其 掺杂浓度较N-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的 接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒， 当加上正偏压E时，金属A和N型基片B 分别接电源的正、负极，此时势垒宽度 Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN 结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来， 采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅 度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载 流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。 其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过 10 0V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、 大电流整流（或续流）电路的效率 。 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极 金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N- 外延层（砷材料）、N 型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44 所示。 在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压 （阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻 变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内 阻变大。