第七章 模拟电子技术基础.pptVIP

模拟电子技术基础 安徽理工大学电气工程系 2. 外形及 引脚功能 * 主讲 ：黄友锐 第十九讲 16.2 硅稳压二极管稳压电路 16.2.1 硅稳压二极管稳压电路的原理 16.2.2 稳压电阻的计算 16.2.3 基准源 16.2.1 硅稳压二极管稳压电路的原理 硅稳压二极管稳压电路的电路图如图16.02所示。 它是利用稳压二极管的反向击穿特性稳压的，由于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小的电压变化。 图16.02 硅稳压二极管稳压电路 (1) 当输入电压变化时如何稳压 根据电路图可知 输入电压VI的增加，必然引起VO的增加，即VZ增加，从而使IZ增加，IR增加，使VR增加，从而使输出电压VO减小。这一稳压过程可概括如下： 这里VO减小应理解为由于输入电压VI的增加，在稳压二极管的调节下，使VO的增加没有那么大而已。VO还是要增加一点的，这是一个有差调节系统。 VI↑→VO↑→VZ↑→IZ↑→IR↑→VR↑→VO↓ 图16.02 硅稳压二极管稳压电路 (2) 当负载电流变化时如何稳压 负载电流IL的增加，必然引起IR的增加，即VR增加，从而使VZ=VO减小，IZ减小。IZ的减小必然使IR减小，VR减小，从而使输出电压VO增加。这一稳压过程可概括如下： IL↑→IR↑→VR↑→VZ↓（VO↓）→IZ↓→IR↓→VR↓→VO↑ 16.2.2稳压电阻的计算 稳压二极管的动态电阻越小，稳压电阻R越大，稳压性能越好。 稳压电阻 R 的作用 将稳压二极管电流的变化转换为电压的变化， 从而起到调节作用，同时R也是限流电阻。 显然R 的数值越大，较小IZ的变化就可引起足够大的VR变化，就可达到足够的稳压效果。 但R 的数值越大，就需要较大的输入电压VI值，损耗就要加大。 稳压二极管稳压电路的稳压性能与稳压二极管击穿特性的动态电阻有关，与稳压电阻R 的阻值大小有关。 稳压电阻的计算如下 当输入电压最小，负载电流最大时，流过稳压二极管的电流最小。此时IZ不应小于IZmin，由此可计算出稳压电阻的最大值，实际选用的稳压电阻应小于最大值。即 当输入电压最大，负载电流最小时，流过稳压二极管的电流最大。此时IZ不应超过IZmax，由此可计算出稳压电阻的最小值。即 (1) (2) 稳压二极管在使用时 一定要串入限流电阻，不 能使它的功耗超过规定值， 否则会造成损坏！ 16.2.3 基准源 基准源 一般是指击穿电压十分稳定，电压 温度系数经过补偿了的稳压二极管。 也称为参考源 这种稳压二极管采用一种埋层工艺，稳压性能优良，有的 还加有温度控制电路，使其温度系数可小到几个10-6/℃。 型号 稳定电压(V) 工作电流(mA) 电压温度系数(10 -6/ ℃) MC1403 2.5±1％ 1.2 10～100 . LM136/236/336 2.5 10 30 5.0 10 30 . TL431 2.5～36 0.4～100 50 . LM3999 ±6.95±5％ 10 5 . AD2710K/L 10.000±1mV 10 2/1 . MAX676 4.096±0.01％