第六讲场效应管概要1.ppt

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第六讲场效应管概要1

第5章 场效应管及其放大电路 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小,基本上不需要信号源提供电流,所以它的输入电阻高,且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为:增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 D S G N 符号 结构  N 沟道结型场效应管结构图动画2-8.AVI N型沟道 N型硅棒 栅极Gate 源极Source 漏极Drain P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结)   在漏极和源极之间加上一个正向电压,N 型半导体中多数载流子电子可以导电。   导电沟道是 N 型的,称 N 沟道结型场效应管。 5.1.1 结型场效应管 P 沟道场效应管  P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+),导电沟道为 P 型,多数载流子为空穴。 符号 G D S 一、结型场效应管工作原理 场效应管是用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 的。(压控电流源) G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层   *根据结型场效应管的结构,因它没有绝缘层,在栅极和源极之间需加反向电压,以保证栅-源极之间输入电阻高的特点。 耗尽型 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 5.1.2 绝缘栅场效应管 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的,称绝缘栅型场效应管。 金属电极 (1) N沟道增强型管的结构 栅极G 源极S 1. 增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 G S D 符号: 由于栅极是绝缘的,栅极电流几乎为零,输入电阻很高,最高可达1014? 。 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅,故又称金属-氧化物-半导体场效应管,简称MOS场效应管。 (2) N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 由结构图可见,N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开,漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时,不管漏极和源极之间所加电压的极性如何,其中总有一个PN结是反向偏置的,反向电阻很高,漏极电流近似为零。 S D EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时,P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层,填补空穴形成负离子的耗尽层; N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID,管子导通。 当UGS UGS(th)时,将出现N型导电沟道,将D-S连接起来。UGS愈高,导电沟道愈宽。 (2) N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 当UGS ? UGS(th)后,场效应管才形成导电沟道,开始导通,若漏–源之间加上一定的电压UDS,则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以,场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏–源电压UDS下,使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th)。 (2) N沟道增强型管的工作原理 (3) 特性曲线 有导电沟道 转移特性曲线 无导电 沟道 开启电压UGS(th) UDS UGS/ ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 N型衬底 P+ P+ G S D 符号: 结构 (4) P沟道增强型 SiO2绝缘层 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS ? UGS(th)时才形成导电沟道。 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 G S D 符号: 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成,称为耗尽型场效应管。 (1 ) N沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中 掺有正离子 予埋了N型 导电沟道 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道,所以在UGS= 0时,若漏–源之间加上一定的电压UDS,也会有漏极电流 ID 产生。 当UGS 0时,使导电沟道变宽, ID 增大; 当UGS 0时,使导电沟道变窄, ID 减小; U

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