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硅纳米结构中硅空位缺陷引发的双峰蓝光发射 课题组 (南京大学) 摘要：本文报道了在硅纳米结构中417nm和436nm双峰结构的蓝光发射的实验和理论研究结 36nm的双峰蓝 果．制备了四种包含和没有包含B-sic纳米品粒的硅纳米结构，观察到了417nm和4 光发射．光致发光谱的分析和微结构的观察揭示了蓝光发射与硅纳米结构中过剩硅缺陷中心的存 在有关．我们计算了由过剩硅原子形成的含有硅空位缺陷的纳米晶粒的电子能级，发现计算所得 的态密度的特征与观察到的双峰发射吻合．这项工作提出了在许多硅纳米结构中存在417nm和 436nm蓝光发射的一种可能的机制． 关键词：硅纳米结构光致发光 空位缺陷 1990年英国科学家Canham发现用简单的电化学腐蚀制成的多孔硅(一种纳米硅结构)具有 强的室温的可见光发射n1，这个工作被认为打开了硅基光电子集成的大门。但是深入的研究发现 多孔硅有一些缺点，譬如，它的结构和发光特性不稳定，制备多孔硅的电化学腐蚀方法与硅平面 工艺不相兼容，特别是不能获得蓝光发射，这些缺点制约了它的应用。然而，伴随着对多孔硅研 究的不断深入，许多研究者意识到，克服多孔硅的缺点，探索稳定强壮的硅基纳米发光材料是实 现硅基光电子集成的关键。在这一形势下，一些研究者把目光投向了探索稳定的硅基纳米蓝光发 射材料，特别是硅基硅纳米结构的蓝光发射材料上，并取得了丰富的实验结果乜。1副。可是，由于 微观结构的复杂性以及理论研究的缺乏使得硅纳米结构中蓝光发射的起因成为了一个难点，其发 光机制存在较多的争议。譬如，在许多硅纳米结构中，如阳极氧化的微晶硅薄膜n加，Si+注入的二 和436 nm的光致发光的报道n¨引，不同的研究组对这个双峰结构的起源有不同的解释。为了改善 将来器件性能和材料的质量，就有必要从实验和理论上澄清这两个蓝光发射的起源，辨别许多争 议性的问题，为探索一些复杂系统里蓝光发射的本质提供有价值的参考。这项工作正是瞄准了这 一前沿。我们首先用四种完全不同的方法：激光剥离、c60前驱物分解、电化学蚀刻和离子注入，制 备了四类硅纳米结构，发现它们有共同的发光特性，即在417nm和436nm有双峰结构的蓝光发射。 通过研究，我们确定了这一发光峰是由硅纳米晶粒引起的，但并不遵从量子限制效应。经过大量 的实验分析，我们认为这个蓝光发射起源于过剩硅原子形成的纳米硅晶粒中的硅空位缺陷。相应 的理论计算进一步证实了该双峰结构和特定浓度的硅空位缺陷密切相联。 9l 实验中的A组样品是用激光剥离多品碳化硅靶制得(使用l(rF准分子脉冲激光，波长为248nm， mJ／cm2)。制备时样品放置在恒温 脉冲宽度为30[IS，频率为5Hz，激光能量的平均密度为200 Q·cm的p型100和111 6500c的高温样品台上。两个样品Al和A2的衬底分别是电阻率为5一10 Pa以下。沉积的薄膜的厚度约为300nm。图l展示了样品 定向硅单晶片，沉积腔的真空度在10q nm双峰结构的蓝光发射。这两个峰的能量 A1和A2的光致发光谱，可以看到有强的417nm和436 ^ 毯 瓣 艟 出 V 创 骥 果 越 图1 样品Al和A2的光致发光谱．激发光为氙灯370咖线。使用Hitachi850型荧光分光光度计测量． 间隔大约为0．13eV。在这两个样品中，蓝光峰的位置相同，但强度不同。我们发现这两个样品的