新型铜系太阳能电池材料的研究.pdfVIP

摘要 摘 要 近年来，铜铟镓硒(CIGS)系薄膜太阳能电池因其具有较强的抗辐射能力，制 造成本低，弱光性好，长期性能稳定性好等优点，转换效率接近多晶硅的水平， 同时它可在柔性基材上使用，而被国际上称为下一时代的最有发展前景的廉价太 阳能电池。 本文从 CIGS 薄膜太阳能电池的吸收层材料着手，采用非真空法制备 CIGS 纳米晶粉末，以旋涂烧结的方式制备CIGS 吸收层薄膜，有利于降低太阳能电池 的成本。 首先采用溶剂热法，分别以水合肼和乙二胺为还原剂，试制CuInSe2 纳米晶。 通过XRD 、SEM 分析不同温度及反应时间的产物形貌，结果显示采用水合肼为 还原剂产物多为片状结晶，而采用乙二胺为还原剂得到的产物具有较好形貌且多 为纯相。但是其反应时间过长，溶剂乙二胺易燃，低毒有一定危险性，难以大规 模生成。采用TEA 为反应溶剂，通过非注入法制备CuInSe2 纳米晶，XRD 、SEM 结果显示所得纳米晶相纯度随着反应时间的增加而趋于单相，呈均匀的类球型结 构，XPS 和EDX 结果证明了其化学计量比以及元素价态。UV-VIS 测试得到纳 米晶的能带隙为1.03±0.03eV，符合光伏应用的要求。 在前面工艺基础上通过掺入适量的Ga 来替代In 的位置，使生成的铜铟镓硒 纳米晶的能带隙宽度在1.0eV-1.75eV 之间，UV-VIS 测试结果显示能带隙的宽度 值和Ga 的含量成正比。当Ga/ （In+Ga ）的比例在0.2-0.3 时，所获得的铜铟镓 硒纳米晶能带隙宽度范围为 1.4~1.6eV，符合高效的 CIGS 薄膜太阳能电池对材 料的要求。 第三步以低成本的Zn ，Sn 元素替代纳米晶CuIn Ga Se 中的In ，Ga 元素 x (1-x) 2 制备Cu ZnSnSe 纳米晶。通过XRD 、SEM、DSC 测试其形貌与结晶性。UV-VI 2 4 S 测试得到制得的CZTSe 纳米晶的禁带宽度为 1.04eV，与理论值一致。有利于 进一步降低CIGS 太阳能电池的成本。 最后以前面制备好的CIGS 纳米晶为原料，通过向溶液中加入乙基纤维素， 获得均匀稳定的CIGS 油墨。通过甩胶机旋涂形成均匀的薄膜，在氩气保护下， 硒化氛围中烧结重结晶形成致密的CIGS 膜。通过 SEM 分析不同的烧结环境对 成膜质量的影响。 Ⅰ 万方数据 摘要 关键词：铜铟镓硒，铜锌锡硒，纳米晶，光伏材料，非注入法 Ⅱ 万方数据 ABSTRACT ABSTRACT In rencent years,some kinds of CIGS liked thin film solar cells have been considered to be the most promising solar cells in the world because of its low cost and high efficiency.These