第6讲 基放 习题.ppt

* 复习一 第一章 半导体器件基础 重点：二极管及三极管的伏安特性曲线。二极管、三极管结构，工作原理及分类。 掌握：半导体基本知识。稳压管的概念及特性曲线。 了解：二极管、三极管、稳压管的主要参数。 一、基本概念:1)本征半导体与杂质半导体 2)多数载流子与少数载流子 3)P型半导体与N型半导体 4）稳压管 5）?与? 6）开启电压与夹断电压 7）跨导gm 8）漂移运动与扩散运动 二、PN结：1）形成 2）为什么有单向导电性 3）结电容 4）主要参数 三、三极管：1）构成 2）放大原理 3）特性曲线 4）主要参数 三、二极管：1）构造 2）伏安特性曲线 3）钳位作用 第二章 放大电路基础（上） 重点：静态工作点的分析及图解分析法 掌握：放大电路的组成原则 一、基本概念：1）静态工作点 2）交流通路及直流通路 3）直流负载线与交流负载线 4）线性失真与非线性失真 5)截止失真与饱和失真 二、图解法：1）静态分析 2）动态分析 复习题： 一、填空与判断 一）填空 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。（a.温度，b．掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷） 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。（a.大于，b．小于，c.等于，d.变宽 e.变窄 f.不变） 3、二极管的位主要特性是 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 和反映反向特性的 。 4、在常温下，硅二极管的开启电压约 v，导通后在较大电流下的正向压降约 V；锗二极管的启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 v。 5、双极型晶体管从结构上看可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。 6、晶体管若用简化的等效电路来分析则可以认为是_____ 控制型器件。 7、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于——偏置，集电结处于 偏置。 8、晶体管穿透电流ICEO是集一基反向饱和电流ICBO的——倍。在选用管子时，一般希望ICEO尽量 。 二）判断下列说法是否正确. 1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。（ ） 3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） 4、PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（） 5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ） 6、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ） 三）简述三极管的放大原理 二、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳压值分别为5V和10V，求如图所示电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V 三、在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类型（是PNP管还是NPN管，是硅管还是锗管），并区分e、b、c三个电极。 *