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第6讲 基放 习题
* 复习一 第一章 半导体器件基础 重点:二极管及三极管的伏安特性曲线。二极管、三极管结构,工作原理及分类。 掌握:半导体基本知识。稳压管的概念及特性曲线。 了解:二极管、三极管、稳压管的主要参数。 一、基本概念:1)本征半导体与杂质半导体 2)多数载流子与少数载流子 3)P型半导体与N型半导体 4)稳压管 5)?与? 6)开启电压与夹断电压 7)跨导gm 8)漂移运动与扩散运动 二、PN结:1)形成 2)为什么有单向导电性 3)结电容 4)主要参数 三、三极管:1)构成 2)放大原理 3)特性曲线 4)主要参数 三、二极管:1)构造 2)伏安特性曲线 3)钳位作用 第二章 放大电路基础(上) 重点:静态工作点的分析及图解分析法 掌握:放大电路的组成原则 一、基本概念:1)静态工作点 2)交流通路及直流通路 3)直流负载线与交流负载线 4)线性失真与非线性失真 5)截止失真与饱和失真 二、图解法:1)静态分析 2)动态分析 复习题: 一、填空与判断 一)填空 1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大关系。(a.温度,b.掺杂工艺,c.杂质浓度,d.晶体缺陷) 2、当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。当PN结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。(a.大于,b.小于,c.等于,d.变宽 e.变窄 f.不变) 3、二极管的位主要特性是 ,它的两个主要参数是反映正向特性的 和反映反向特性的 。 4、在常温下,硅二极管的开启电压约 v,导通后在较大电流下的正向压降约 V;锗二极管的启电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 v。 5、双极型晶体管从结构上看可以分成 和 两种类型,它们工作时有 和 两种载流子参与导电。 6、晶体管若用简化的等效电路来分析则可以认为是_____ 控制型器件。 7、晶体三极管用来放大时,应使发射结处于——偏置,集电结处于 偏置。 8、晶体管穿透电流ICEO是集一基反向饱和电流ICBO的——倍。在选用管子时,一般希望ICEO尽量 。 二)判断下列说法是否正确. 1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。( ) 2、在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。( ) 3、P型半导体带正电,N型半导体带负电。( ) 4、PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。() 5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。( ) 6、由于PN结交界面两边存在电位差,所以,当把PN结两端短路时就有电流流过。( ) 三)简述三极管的放大原理 二、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳压值分别为5V和10V,求如图所示电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V 三、在晶体管放大电路中,测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。 *
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