第24章固体量子理论基础汇编.ppt

三、p-n 结 将 p 型半导体和 n 型半导体相互接触，由于 n 区的电子向 p 区扩散，p 区的空穴向 n 区扩散，在交界处形成了 p-n 结。 在交界面附近，p型区中的空穴被扩散来的电子复合，产生负电荷的积累， n型区中的电子被扩散来的空穴复合，产生正电荷的积累。结果在交界面处形成了电偶层。 电偶层的电场（称为内建场）阻碍电子和空穴的进一步扩散，最后形成一稳定的电势差。此时在p-n结处n区相对于p 区有电势差U0 ，称为接触电势差 + + + + - - - - E内 P-n结 p型区 n型区 在 p-n 结的 p 型区接电源正极， n 型区接电源负极（称为正向偏压）。这时电偶层电场被削弱、有利于空穴向 n 区运动，电子向 p 区运动，形成正向电流 相反地，在 p-n 结的 p 型区接电源负极， n 型区接电源正极（称为反向偏压）。这时电偶层电场被增强、不利于空穴向 n 区运动，电子向 p 区运动，电路被阻断。但是,由于少数载流子的存在,会形成很弱反向电流，称为漏电电流。 二极管由p-n 结构成 ，所以二极管具有单向导电性。 当外电场很强,反向电压超过某一数值后,反向电流会急剧增大----反向击穿。 P-n结两端电压和流过结的电流关系如图，称为p-n结的伏安特性曲线。 24.2 超导电现象 一、 零电阻 1911年，荷兰物理学家昂尼斯 (H.Kammerlingh-On