基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析.pdfVIP

第37卷第6期 微 电 子 学 Vo1．37，No．6 2007年 12月 croelectronics Dec．2007 基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析 邵 科，曹全军，张义门，张玉明，孙 明 (西安电子科技大学微电子学院；宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071) 摘 要： 在建立正确模型的基础上，运用ISE软件的二维仿真，模拟了4H—SiC MESFET在交流 小信号条件下，表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率变化的影响。分析了产生频散效应的原 因以及内部机理，同时考虑了不同环境温度对跨导的频散影响。结果表明，在低频条件下，陷阱会 导致跨导和漏电导频散，漏电压越大，环境温度越高，频散越不明显。 关键词： 4H—SiC；MESFET；陷阱；跨导；漏电导；频散 中图分类号：TN304．2 4 文献标识码： A 文章编号：1004—3365(2007)06—0830—03 Study on Frequency Dispersion Effects of 4H-SiC MESFET Based on Traps SHAO Ke，CAO Quan-j un，ZHANG Yi—men，ZHANG Yu-ming，SUN Ming (Microelectronics Institute，Xidian University；Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Cap Semiconductor Materialsand Devices，Xi’an 710071。P．R．China) Abstract： The influence of surface traps and body traps of 4 H—SiC MESFET’S on transconductance and drain conductance varying with frequency in the small AC signal was simulated by using two-dimensional simulation of ISE software．The reason for frequency dispersion and its mechanism were analyzed，considering simultaneously the in— fluence of different ambient temperature on transconductance and drain conductance．Results show that the traps lead tO frequency dispersion of transconductance and drain conductance at lower frequency，and the effects of fre— quency dispersion are not serious in the higher drain voltage and ambient temperature． Key words： 4H—SiC；MESFET；Trap；Transconductance；Drain conductance；Frequency dispersion EEACC： 2520M；2570H 不仅对评估器件性能以及电路的可靠性，而且对大 引 言 信号建模的完整性补充，都起着举足轻重的作用。 目前，国内外对GaAs材料[2 和GaN[3]的频散效应 SiC材料是目前研究较多的宽禁带半导体材