第14章二极管和晶体管.pptVIP

14.3 二极管; 理解PN结的单向导电性；了解二极管、稳压二极管和晶体管的基本构造、工作原理和主要特性曲线，理解主要参数的意义；理解晶体管的电流分配和放大作用。;难点;掺杂性：在纯净的半导体中掺入微量杂质，半导体的导电能力增加几十万乃至几百万倍（据此可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、晶体管等）。;14.1.1 本征半导体; 价电子获得一定能量(温度增高或受光照)后，即可挣脱原子核的束缚(电子受到激发)，成为自由电子。; 在外电场的作用下，有空穴的原子吸引相邻原子中的价电子来填补这个空穴，同时失去一个价电子的相邻原子的共价键中出现另一个空穴。; 当半导体两端加上外电压时，半导体中将出现两部分电流： ①自由电子作定向运动形成的电子电流； ②仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的空穴电流。; ①温度愈高，载流子数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 ②本征半导体中的载流子数量极少，导电能力仍然很低。;14.1.2 N型半导体和P型半导体;N型半导体和P型半导体都是中性的，对外不显电性。;14.2 PN结及其单向导电性;14.2 PN结及其单向导电性;14.3 二极管;14.3 二极管;反向击穿特性;14.3.3 主要参数;分析方法：将二极管断开。;14.3 二极管;例2：图中输入端A的电位VA=+3V，B的电位VB=0V，求输出端Y的电位VY。电阻R接负电源-12V。;解：;I/mA;⒈ 稳定电压UZ ;14.5 晶体管;14.5 晶体管;⒈ 三极管放大的条件; 扩散到基区的自由电子多数扩散到集电结。;⒊ 晶体管各极电流关系; 用来表示晶体管各极电压和电流之间的相互关系，它反映出晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。;⒈ 输入特性曲线;饱和区; ;静态电流(直流)放大系数：;14.5 晶体管;⒉ 集-基极反向截止电流 ICBO;⒌ 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO; 以上所讨论的几个参数中： β和 ICBO(ICEO)是表明晶体管优劣的主要指标； ICM ，U(BR)CEO和PCM都是极限参数，用来说明晶体管的使用限制。;14.6 光电器件;14.6 光电器件;14.6.3 光电晶体管;本章作业