替代石英晶体硅MEMS振荡器.pdf

替代石英晶体的硅MEMS 振荡器 Dr. Aaron Partridge SiTime Corporation Chief Technical Officer John McDonald SiTime Corporation Vice-President 自从1940 年中期以来石英晶体在精确频率源器件中占据主导地位. 四十年MEMS 振荡 器的研究成果将使这种状况该发生改变. 替代石英振荡器遗留的技术障碍已经得以解决. SiTime 将引入替代石英振荡器的硅MEMS 振荡器, 它尺寸更小, 使用更方便, 以及更加 便宜., 这些将超过所替代之石英振荡器的规格指标. 石英晶体 石英具有非凡的机械和压电特性, 使得从19 世纪40 年代中期以来一直作为基本的时钟 器件. 尽管在陶瓷, 硅晶和RLC 电路方面有60 多年的研究, 在此之前没有哪种材料或技 术能替代石英振荡器, 鉴于其异常的温度稳定性和相位噪声特性. 估计2006 年将有100 亿颗石英振荡器被制造出来并放置到汽车, 数码相机, 工业设备, 游戏设备, 宽带设备, 蜂窝电话, 以及事实上每一种数字产品当中. 石英振荡器的制造数量比地球上的人口还 要多. 然而, 石英振荡器有许多缺点, 包括不能集成到硅圆晶上, 缩小尺寸相应提高了成本, 非工业标准的制造和封装方法, 对热, 冲击和振动敏感. 因此, 电子工业界习惯于使用 石英振荡器, 任何在不牺牲性能的情况下克服这些缺点的努力都是徒劳无功的. MEMS 谐振器: 没能实现承诺的历史 最具潜力的石英振荡器替代技术始终是MEMS 振荡器. 早在1965 年, H.C. Nathanson 发 布的一篇论文描述了使用细金属线制造的微机械谐振器[1], 在 1967 年还发布铝线制造 的方法. 于 1982 年, K. Petersen 发布了名为” 以硅作为机械材料” 的论文[2]. 这种硅机 械技术, 现在成为几百万美金MEMS 工业的基础, 先进的MEMS 振荡器使用一种可替 代石英晶体的材料设计. MEMS 振荡器和石英振荡器具有完全不同的特性, 依赖于不同 的机械特性, 不同的电特性, 不同的制造工艺, 以及不同的驱动电路, 甚至对于相同振 荡幅度在尺寸上小了几个数量级. 由于相对简单的谐振腔制造工艺, 高容量的市场和潜 在的低成本优势, MEMS 振荡器可以制造于100mm (4”), 150mm (6”), 和现在的200mm 圆晶上, 相比于使用小于100mm 的矩形圆晶制造石英振荡器是非常有吸引力的. 不幸的是, 对于便宜, 高质量和全集成谐振器的承诺遭遇严酷的现实. 早期的研究者, 包括 Petersen 博士取得了很多进展但也发现许多困难的技术问题. 这些困难的问题包 括硅材料的 30 ppm/ºC 温度系数, 多晶疲劳所导致的老化, 封装污染导致的漂移. 漂移 是最难处理的问题, 因为谐振单元非常小以至于对表面细小颗粒和污染非常地敏感. 一 个单原子层的污染能使 MEMS 谐振器的频率漂移到超出典型石英振荡器的规格. 另外, 这种技术还存在成本问题—可用的封装技术与石英振荡器相类似, 而封装主导了器件的 最终成本. 这些技术和成本限制阻碍了 MEMS