第1章半导体基础知识.pptVIP

一、二极管的组成 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电压电流方程 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 六、几个常用三极管的特性参数 光电二极管的伏安特性 光电二极管的伏安特性 工作在第一象限的原理电路 工作在第三象限的原理电路 工作在第四象限的原理电路 VCC 【例1-6】已知发光二极管的导通电压UD=1.6V，正向电流为5~20mA,VCC=6.6V，计算R的取值范围。 解： 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 §1.3 晶体三极管 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电