51金属-氧化物-半导体场效应管52MOSFET放大电路.PDF

5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 5.2 MOSFET 放大电路 课后作业: 复习思考题5.1.1, 5.1.2 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 分类： N沟道 JFET （耗尽型） P沟道 结型 FET N沟道 场效应管 增强型 MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道 绝缘栅型 耗尽型 P沟道 1 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 ♦ MOSFET 利用半导体表面电场效应进行工作的， 也称为表面场效应器件。 ♦ 栅极是绝缘的，输入电阻很高。 ♦ 有N 沟道和P 沟道两类。 ♦增强型 （VGS =0 时， 没有导电沟道，iD =0 ） ♦耗尽型 （VGS =0 时，存在导电沟道，iD ≠0 ） 5.1. 1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构及符号 2 2 工作原理 图示为N沟道增强型 MOSFET 的工作原理示意图 (a)vGS=0 时，没有导电沟道 (b) vGS VT 时，出现N型沟道 (c) vDS 较小时，iD 迅速增大 (d) vDS较大出现夹断时，iD 趋于饱和 出现夹断时或预夹断处 vGD= vGS−vDS =VT 3 特性曲线及大信号特性方程 在饱和区内，转移特性可近似表示为 vGS 2 i I ( −1) (v V , v V ) D D 0 GS T GD T V T 3 综上分析可知 • 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 • FET栅极与沟道间的PN结是绝缘的，因此i≈0，G 输入电阻很高。 • FET是电压控制电流器件，i受v 控制 D GS • 预夹断前i与v 呈近似线性关系；预夹断后， D DS i趋于饱和。 D 3 特性曲线及大信号特性方程 1）输出特性 iD f (vDS ) vGS const. 2 ）转移特性 iD f (vGS ) vDS const. 在饱和区内，转移特性可近似表示为 vGS 2 i I ( −1) (v V , v V ) D D 0 GS T GD T V T