第9章发光二极管和激光器02汇编.ppt

第9章 发光二极管和激光器 半导体器件物理 半导体器件物理 半导体器件物理 第9章 发光二极管和激光器 半导体器件物理 第9章 发光二极管和激光器 半导体器件物理 第9章 发光二极管和激光器 第9章 发光二极管和激光器 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices * 右图所示为人眼对光波长（或对应光子能量）的相对响应曲线。 由于人眼只对光子能量hν等于或大于1.8eV（700nm）的光线感光，因此所选的半导体Eg必须大于该极限值。 右图还给出了多种半导体的带隙宽度。 可见光发光二极管 9.3 发光二极管种类 第9章 发光二极管和激光器 右表列出用在可见与红外区域产生光源的半导体。 在所列的半导体材料中，对于可见光LED最重要的是GaAs1-yPy与GaxIn1-xN的Ⅲ-V族化合物系统。 材 料 波长／nm InAsSbP／InAs 4200 InAs 3800 GaInAsP/GaSb 2000 GaSb 1800 GaxIn1-xAs1-yPy 1100~1600 Ga0.47In0.53As 1550 Ga0.27In0.73As0.63P0.37 1300 GaAs: Er, InP: Er 1540 Si: C 1300 GaAs: Yb, InP: Yb 1000 AlxGa1-xAs: Si 650~940 GaAs: Si 940 Al0.11Ga0.89As: Si 830 Al0.4Ga0.6As: Si 650 GaAs0.6P0.4 660 GaAs0.4P0.6 620 GaAs0.15P0.85 590 (AlxGa1-x)0.5In0.5P 655 GaP 690 GaP: N 550~570 GaxIn1-xN 340, 430, 590 SiC 400~460 BN 260, 310, 490 * 第9章 发光二极管和激光器 当有一种以上的Ⅲ族元素随机分布于Ⅲ族元素的晶格位置，或有一种以上的V族元素随机分散于V族元素的晶格位置，就形成了Ⅲ-V族化合物合金。 三元化合物常用符号AxB1-xC或AC1-yDy表示，而四元化合物则用AxB1-xCyD1-y表示。其中，A和B为Ⅲ族元素，C和D为V族元素，x和y是物质的摩尔分数，即化合物合金内某一给定元素原子数与Ⅲ族或V族元素总原子数之比。 右图所示为GaAs1-yPy的带隙宽度随摩尔分数y的变化关系曲线。 当0y0.45时，直接带隙半导体，Eg由y=0时的1.424eV，增加到y=0.45时的1.977eV。 当y0.45时，间接带隙半导体。 * 第9章 发光二极管和激光器 右图所示为几种不同合金成分对应的能量-动量图。导带有两处极小，一个是沿p=0的直接极小，另一个是沿p=pmax的间接极小。位于导带直接极小处的电子和位于EV的空穴具有相同的动量；而位于导带间接极小处的电子和位于EV的空穴则具有不同的动量。辐射跃迁机制绝大部分发生于直接带隙半导体，如GaAs及GaAs1-yPy（y0.45）。 * y0.45的GaAs1-yPy及GaP，间接带隙，辐射跃迁几率非常小，因为必须保持动量守恒。因此，引入复合中心以增加辐射性复合几率。如GaAs1-yPy，将N引入其晶格中可形成有效辐射性复合中心。N原子充当复合中心，但不会贡献额外的载流子，因此被称作等电子中心，提高间接带隙半导体的辐射跃迁几率。 第9章 发光二极管和激光器 含氮的情况下，y0.5时，量子效率显著提高了，尽管如此，量子效率仍会随着y的增加而稳步减小，因为直接带隙与间接带隙之间的能量间隔增加了。 下图所示为GaAs1-yPy在含有或不含有等电子杂质氮时，其量子效率（即每电子-空穴对所产生的光子数）与合金组分的关系。 不含氮时，量子效率在0.4y0.5的范围内会急剧下降。因为带隙结构在y=0.45这点发生了变化，从直接带隙变为间接带隙。 001 . 0 01 . 0 1 . 0 0 . 1 0 2 . 0 4 . 0 6 . 0 8 . 0 0 . 1 不含氮 含氮 001 . 0 01 . 0 1 . 0 0 . 1 0 2 . 0 4 . 0 6 . 0 8 . 0 0 . 1 y 合金组分 % / 量 子 效 率 * 第9章 发光二极管和激光器 目前最有希望材料的是氮化镓（Eg=3.44eV）及其相关的Ⅲ-V族氮化物半导体如AlGaInN，其直接带隙范围为0.7~6.2eV（对应波长为200~1770nm）。 为实现高亮度的蓝光LED，已研究的材料有：Ⅱ-Ⅵ族化合物硒化锌、Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体氮化镓和Ⅳ-Ⅳ族化合物碳化硅。然而，Ⅱ-Ⅵ器件的寿命太短；碳化硅因其为间接带隙，致使发出的蓝光亮度太低。 * 虽然没有晶格匹配的衬底可供GaN生长，