内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善聂国政邹代峰-物理学报.PDF

内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善 聂国政 邹代峰 钟春良 许英 Analysis of improved characteristics of pentacene thin-film transistor with an embedded copper ox- idelayer NieGuo-Zheng ZouDai-Feng ZhongChun-Liang Xu Ying 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,228502(2015) DOI: 10.7498/aps.64.228502 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.228502 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I22 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 溶胶凝胶法制备以HfO 为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管 Highmobilitythin-filmtransistorwithsolution-processedhafnium-oxidedielectricandzinc-indium-tin-oxide semiconductor 物理学报.2015,64(16): 168501 /10.7498/aps.64.168501 部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性 Lowfrequencynoisebehaviorsinthepartiallydepleted silicon-on-insulator device 物理学报.2015,64(10): 108501 /10.7498/aps.64.108501 电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 Radiationeffectsonthelowfrequencynoiseinpartially depleted silicon oninsulator transistors 物理学报.2015,64(7): 078501 /10.7498/aps.64.078501 电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响 Influenceofchargeimbalanceonbreakdownvoltageof 4H-SiC semi-superjunction VDMOSFET 物理学报.2014,63(20): 208501 /10.7498/aps.63.208501 溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管 Solution-processedhighperformanceHIZOthinfilmtransistor with AZO gate dielectric 物理学报.2014,63(11): 118502 /10.7498/aps.63.118502 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 22 (2015) 228502 内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善 聂国政 邹代峰 钟春良 许英 1) (湖南科技大学物理与电子科学学院, 湘潭 411201) 2)(华南理工大学高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室, 广州 510640) 3)(湖南工业大学理学院, 株洲 412007) ( 2015 年5 月11 日收到; 2015 年7 月8 日收到修改稿) 制备了基于内嵌氧化物铜(CuO) 薄膜的并五苯薄膜晶体管器件. 将3 nm CuO 薄膜内嵌入到并五苯 (pentacene) 中, 作为空穴注入层, 降低电极与并五苯之间的空穴注入势垒. 相对于纯并五苯薄膜晶体管器件, 研制的晶体管的迁移率、阈值电压(TH )、电流开关比(on off ) 等参数都有明显改善. X 射线光电子能谱数 据表明, 这种空穴注入势垒的降低源自并五苯向CuO 的电子转移. 关键词: 有机薄膜晶体管,