制程条件对多原子离子布植技术制作超浅接面半导体元件之影响研究(2.PDF

行 離 類 行 年年 行 立 梁 參理 論 理 年 製程條件對多原子離子佈植技術製作超淺接面半導體元件之影響研究 (2/2) Effects of processing parameters on the use of polyatomic ion implantation techniques in fabricating ultra-shallow junctions for modern devices (2/2) 計畫編號： NSC-95-2221-E-007-142 執行期間：2006 年 08月 01日至 2007 年 07月 31日 主持人：梁正宏教授 國立清華大學工程與系統科學系 中文摘要 channeling (RBS/C), and transmission electron microscopy (TEM) were used to 本研究計畫深入探討 Bn （n = 1~4 ） determine boron depth profiles, sheet 多原子離子以室溫佈植於矽晶圓並經不同 resistance, damage depth profiles, and defect 後續熱退火後的特性變化情形。每個硼原 microstructures, respectively. The results 子的佈植能量為 20 keV ，總硼原子的佈 show that all the characteristic properties 植通量為 1016 cm-2 。後續熱退火採用兩階 closely correspond to the non-linear damage 段退火，第一階段為 550 oC 、一小時的爐 micro-structure caused by ion implantation. 管退火；第二階段為 1050 oC 、25 秒的快 During first-step low temperature annealing, 速熱退火。在特性量測 分析上，使用二次 the occurrence of solid phase epitaxial growth (SPEG) in the implantation-induced 離子質譜儀、四點探針 、溝道式拉塞福回 amorphous layer can effectively remove 向散射儀、以及穿透式電子顯微鏡，分別 implantation-induced damage and suppress 量測分析試片的硼原子 縱深分佈、表面片 boro