场效应管FET（Q）.DOC

场效应管FET（Q） 定义：场效应管是一种新型的半导体器件，具有PN结构特点。利用场效应这个原理进行工作。 用字母Q表示。符号 G：栅极（控制极相当于三极管B） D：漏极（C） S：源极（E） 三极管：电流控制元件Ib控制Ic Ib↑—Ic↑ Ib↓—Ic↓ 场效应管：电压控制元件，Gs电压控制Id场效应管有结型和绝缘栅型（mos、FET） 三极管输入阻抗小。而场效应管的输入阻抗大。三极管热稳定性比场效应管差。 VG↑↓可以改变Id电流大小。 结型场效应管（FET） 1、特点：只有一个PN结在GS和GD之间，D、S极可以互换。 2、种类：P基片 N为N型半导体 VG↑→ID↑ VG↓→ID↓ VG↑→ID↓ VG↓→ID↑ 3、作用：1）电子开关作用 2）放大作用（可变电阻作用） 4、工作条件：1）给DS极加一定的正向电压（N沟道：D极接高电位。 P沟道：S极接高电位。） 2）给栅极G极加一定的控制电压。 N沟道：G极加正的控制电压场效应管导通加负的控制电压场效管截止。 P沟道：G极加正的控制电压场效应管截止加负的控制电压场效应管导通。 同时满足上述条件，场效应管才能正常工作。 5、结型场效应管的实际电路。 6、测量与判断：1）GS或GD是正向电阻小，反向电阻大。 2）DS极电阻固定，正反向电阻相向。 满足上述条件正常否则场效应管损坏。 绝缘栅型场效应管（Mos管小功率）（VMos管大功率）。 特点：1）栅极和漏极，栅极和源极之间绝源（绝缘材料有二氧化硅，氧化铝大功率） 2）D S极阻值固定可互换，PN结正反电阻均无穷大。 3）输入电阻大噪声小动态范围大，抗干扰能力强，工作稳定性好，功率小便于集成，怕静电易击穿栅极不能悬空，感应静电后很难泄放产生极高的电压击穿PN结和沟道。 种类：N沟道1）增强型 2）耗尽型 P沟道1）增强型 2）耗尽型 作用：1）开关作用：主要用于开关电路做开关元件。 2）放大作用：双栅极型绝缘栅型场效应管。 3）可变电阻作用。 工作条件：1）给DS极加一定的电压：N沟道D极接高电位。P沟道S极接高电位。 2）给GS极加一定控制电压。 同时满足上述条件Mos管正常工作。 增强型Mos管和耗尽型Mos管的区别。 增强型：给DS加一定的电压如果G极无电压则没有Id输出。（可作开关元件或可变电阻） 耗尽型：给DS极加一定的电压时不管G极有无电压均有Id输出。（可作放大元件） 测量与判断：选择万用表的峰鸣档或二极管档先放电再测量。 1）GS正反向电阻（大） 2）GD正反向电阻（大） 3）DS正反向电阻一大一小（黑表笔接D极，红表笔接S极阻小300~800Ω）对换表笔为无穷大。 4）黑表笔接D极，红表笔接G极然后将红表笔移到S极时有蜂鸣声，放电两测S极时无蜂鸣声阻值为300~800Ω说明良好反之不正常。 5）DG黑表笔接D极红表笔接G极阻值为无穷大，对换表笔阻值仍为无穷大。 6）GS极与极之间正反向阻值均为无穷大。 共源极放大电路： VS→C1→QG→QD→C2→负载