新一代功率芯片耐高温封装连接国内外发展评述-焊接进站.PDF

第猿苑卷 第员期 焊摇 接摇 学摇 报 灾燥造援猿苑摇 晕燥援员 圆园员远 年 员 月 栽砸粤晕杂粤悦栽陨韵晕杂韵云栽匀耘悦匀陨晕粤宰耘蕴阅陨晕郧陨晕杂栽陨栽哉栽陨韵晕 允葬灶怎葬则赠摇 圆园员远 新一代功率芯片耐高温封装连接国内外发展评述 冯洪亮袁摇 黄继华袁摇 陈树海袁摇 赵兴科 渊北京科技大学材料科学与工程学院袁北京摇 员园园园愿猿冤 摘摇 要院新一代半导体高温功率芯片可在缘园园益左右甚至更高的温度下服役袁耐高温封装已成为其高温应用的主 要障碍援 针对当前高温功率芯片耐高温封装连接问题袁从芯片耐高温封装连接的结构及要求尧芯片的耐高温封装连 接方法渊包括高温无铅钎料封装连接尧银低温烧结连接尧固液互扩散连接和瞬时液相烧结连接冤及存在的问题等方面 对国内外研究现状尧动态进行了分析和评述袁并提出了今后高温功率芯片耐高温封装连接的研究重点和发展方向援 关键词院功率芯片曰 耐高温封装曰 连接曰 瞬时液相烧结 中图分类号院栽郧源圆缘摇 摇 文献标识码院粤摇 摇 文章编号院园圆缘猿原猿远园载渊圆园员远冤园员原园员圆园原园怨 园摇 序摇 摇 言 员摇 新一代高温功率芯片的耐高温封装 连接结构及要求 发展应用于高温尧高功率尧高频等极端环境中的 电子器件是当前电力电子技术领域发展的重点方 员援员摇 新一代高温功率芯片耐高温封装连接结构 向援 杂蚤悦袁郧葬晕和粤造晕等是自第一代元素半导体材料 在高温功率芯片封装中袁功率芯片尧高温连接材 渊杂蚤冤和第二代化合物半导体材料渊郧葬粤泽袁郧葬孕袁陨灶孕冤 料尧高温封装基板及芯片辕 基板间金属化镀层构成了 之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料援 第一尧 功率芯片耐高温封装连接的基本结构援 功率芯片通 二代传统半导体集成电路与器件无法在圆园园益以上 过连接材料先后与基板和热沉相连袁图员为高温尧大 的高温环境下持续工作袁且输出功率低袁受高频尧高 功率芯片封装结构示意图援 近年来新一代功率半导 腐蚀等条件的影响严重援 与之相比袁杂蚤悦和郧葬晕等宽 体技术不断取得突破袁逐步开发了包括功率整流器尧 带隙半导体材料具有带隙宽尧临界击穿电压高尧热导 单极型晶体管尧双极型载流子器件和高电子迁移率 率高尧载流子饱和漂移速度大等特点袁其半导体电路 晶体管等一系列高温尧大功率半导体芯片袁相应器件 或器件在缘园园益左右甚至更高温度下仍具有良好的 的最大使用温度可达源园园耀员园园园益咱员原苑暂援 当温度超 转换特性和工作能力咱员原员员暂 袁能有效提高转换效率和 过猿园园益时袁可供高温基板使用的基底材料很少袁热 工作温度袁降低对冷却系统的要求袁在航空航 稳定性优良的陶瓷材料渊如 粤造 韵 袁粤造晕袁杂蚤晕 袁月藻韵 天咱员原员员暂尧混合动力装置咱员原远暂尧高效光伏辕 风电系 圆 猿 猿 源 统咱员原远暂尧油气钻探咱远袁愿原员员暂尧核电设备咱源原远袁愿原员员暂 等领域 和在则韵等冤成为主要的高温基底材料咱员圆原员源暂援 以陶瓷 为基低两侧敷焊铜的阅月悦或粤酝悦基板能够在愿园园 猿园园耀缘园园益的高温电路和器件中具有重要的应用 价值援 然而袁杂蚤悦和郧葬晕等宽带隙半导体器件的最高 益左右下可靠工作袁被视为新一代高温尧大功率芯片