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12-2 僅讀記憶體(ROM) 12-2.1 Mask ROM 12-2.2 PROM 12-2.3 EPROM 12-2.4 EEPROM 12-2.1 Mask ROM Mask ROM稱為罩蓋式的僅讀記憶體，所謂‘罩蓋’的意思就是，當程式一旦被包入製造中的Mask ROM IC後，這些程式就不能再改變了，有如物品被罩蓋起來似的。Mask ROM也可以直接稱之為ROM。 ROM為最簡單的一種記憶體，它相當於一組暫存器，這組暫存器中的每一個暫存器，均可以用來儲存一個位元組的資料。 8×4位元Mask ROM 1 0 1 1 雙接合電晶體做成ROM記憶單元 12-2.2 PROM 因為Mask ROM無法讓使用者自行將程式規劃燒寫進去，所以廠商又推出了可以改善此一缺點的PROM。 PROM稱為可規劃一次的僅讀記憶體，所謂‘可規劃的’的意思就是，可以將程式自行規劃燒寫進去的意思。同樣的，當這些程式被燒寫進去之後就不能再改變了。PROM (Programmable Read Only Memory；簡稱為PROM)只能規劃燒寫一次，所以已燒寫進去的資料不能再修改，也不可以把它清除掉，故已燒寫過資料的PROM無法再重複使用。 二極體結構的PROM 電晶體結構的PROM 12-2.3 EPROM 因為PROM只能規劃燒寫一次，無法重覆再使用，實在很浪費，所以廠商又推出了可將程式自行規劃燒寫進去、且又可多次使用的EPROM僅讀記憶體，稱之為紫外光抹除可規劃多次的僅讀記憶體 (Erasable Programmable Read Only Memory；簡稱為EPROM) 。此種EPROM是由MOS FET製成，可利用紫外光照射一、二十分鐘來消除內部資料，因此可讓使用者進行多次的消除再使用，一直到用壞為止，是目前程式設計者最方便、最經濟的僅讀記憶體。 EPROM基本電路結構圖 12-2.4 EEPROM 由於EPROM在消除資料時，須關掉電源並從電路板上拆下EPROM，而且需要照射紫外光一、二十分鐘，較浪費時間。基於以上的種種缺點，NEC公司認為頗有生機，因此就開始著手改良，以NMOS做成的雙閘極NMOS元件，與另一增強型FET元件串聯起來製成新的記憶元件，稱為電力抹除可規劃多次的僅讀記憶體(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory；簡稱為EEPROM)。 12-3 隨機存取記憶體（RAM） 12-3.1 SRAM 12-3.2 DRAM 12-3.1 SRAM SRAM (Static Random Access Memory；SRAM) 稱為“靜態隨機存取記憶體”。SRAM是用正反器所製成的，可以用來儲存資料。由於正反器的組成需要極多的MOS FET，因此使得SRAM所需要的矽面積變得相當的大，故在相同IC體積的情形下，將會限制了IC內晶片的密度和容量。以SRAM的特性而言，若要一直保存著資料，就必須一直接著電源，所以消耗功率必定比DRAM高，不過在速度上會比DRAM快很多，因此可用來作為快取記憶體(Cache Memory)使用。 1 bit SRAM內部邏輯電路圖 位址線An:高位時表示要對此顆SRAM動作 R/Ω控制線:R表讀取的動作(高態1)，Ω表寫入動作(低態0) 1 2 SRAM寫入動作 (一).寫入 An=1，R/Ω = 0 ? 及閘3的輸出為0 An=1，R/Ω = 0 ? 及閘1、２的輸出由D1與D1決定 (1). D1 = 0則S=1 ，R = 0，輸出為0，記憶體寫入0 (2). D1 = 1則S=0 ，R = 1，輸出為1，記憶體寫入1 (一).讀取 An=1，R/Ω = 1 ? 及閘3的輸出由RS正反器決定 An=1，R/Ω = 1 ? 及閘1、２的輸出均為0 ?R = 0 且S = 0 則RS正反器輸出維持原狀 1 bit SRAM符號標示圖 4×3 SRAM記憶體 12-3.2 DRAM 由於每一1 bit的SRAM至少要用6~8個MOS FET，因此佔去了SRAM內大部分的矽面積，使得記憶容量變小、體積變大，所以不同結構的DRAM因應而生。DRAM (Dynamic Random Access Memory；DRAM) 稱為“動態隨機存取記憶體”。DRAM的內部電路結構非常簡單，只用一個MOS FET，與電路本身自然形成極小極小的雜散電容（約0.05 PF）組成，雜散電容上的高、低電位分別代表邏輯’’1’’與邏輯’’0’’。 DRA