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磁控溅射ITO透明导电薄膜的研究-福州大学学报
27 4 () Vol.27 No.4
19998 Journal of Fuzhou University (Natural Science) Aug.1999
:1000-224 (1999)04-0018-0
磁控溅射ITO 透明导电薄膜的研究
(, 350002)
: (ITO), 、
ITO 、, 20-50Ψ、
86 %ITO .
:;ITO;
:O484.4 :A
1907Badker CdCdO ,
, .In O :Sn—
2
, ITO .、、 、
, 、 、 , , ITO
, 、 .
ITO 、、 ,
[1]
UTHAMA S ITO , 320mPa,
① [2]
200 ℃;WANG H ITO , 0.μm;
ITO , .
ITO , 0.8-1.8μm, 20-
50Ψ, 86%.
1
JC —500 ITO , 99.999%,
In:Sn=90%:10%, 37cm, 10cm,
, 1mPa, 40-50mPa, 0.7Pa, 250-
300 ℃.X (XRD)ITO ,
SZT—85 .
2
ITO 、 ,
:1998-12-07
: (1960-), , .
①WANGH.RFplasma fabricationof nano-scaleceramicoxidesfor energy device.In:Proceedings of the30th In-
tersocietyEnergy Conversion EngineeringConference [C 〗.Orlando, 1995.29 -300.
4 :ITO ·19 ·
., 、 ITO
.
2.1
, ITO .1 ITO
, 250 ℃、 1mPa、Ar
0.7Pa, 10-100mPa.1 , 40-50mPa , ITO
.ITO N , ,
, ,
, ITO .40mPa ,
, , , ,
;40mPa , , O In
2
, , ,
Sn , Sn , , ,
86%.
1
p/mPa 20 30 40 50 60 70 80
R/Ψ 21 22 22 25 40 68 98
τ/%(λ= 550nm) 32 50 65 82 84 86 86
2.2
ITO .2 ITO
, 40mPa、 700mPa.2
, , , 20Ψ, , 50%.
, ITO , 30-40Ψ, ,
270 ℃86%.,
, , In O ,
2
, , ;,
, ;, ,
Sn , .
2
T/℃ 50 100 150 200 250 300
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