专升本《模拟电子技术》试卷.docx

[试题分类]:专升本《模拟电子技术》题型]:单选[分数]:21.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性答案:C2.稳压二极管的有效工作区是( )。A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区答案:B3.如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态答案:D4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻答案:C5.用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大答案:A6.半导体中PN结的形成主要是由于（ ）生产的。A. N区自由电子向P区的扩散运动B. N区自由电子向P区的漂移运动C. P区自由电子向N区的扩散运动D. P区自由电子向N区的漂移运动答案:A7.理想的功率放大电路应工作于( )状态。A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补答案:C8.NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区答案:A9.当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。A.低通B.高通C.带通D.带阻答案:C10.差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。A.共模 共模B.共模 差模C.差模 差模D.差模 共模答案:B[试题分类]:专升本《模拟电子技术》题型]:单选[分数]:21.互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率约为。()A.30%B.60%C.78.5%D.85%答案:C2.当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流，此时耗尽层。()A.大于--变宽B.小于--变宽C.等于--不变D.小于--变窄答案:D3.晶体管工作在饱和区时，b－e极间为，b－c极间为。()A.正向偏置--正向偏置B.反向偏置--反向偏置C.正向偏置--反向偏置D.反向偏置--正向偏置答案:A4.双极型晶体管只有当其发射结处于，而且集电结处于时，才工作于放大状态。()A.正偏--正偏B.正偏--反偏C.反偏--正偏D.反偏--反偏答案:B5.电路如图所示。若V1、V3管正负极同时接反了，则输出＿＿。()A.只有半周波形B.无波形且变压器或整流管可能烧毁C.全波整流波形D.全波整流波形，但V2管承受2倍的电压答案:D6.效率与成本俱佳的整流方式是：。()A.全波整流B.谐波整流C.桥式整流D.半波整流答案:C7.共源极场效应管放大电路其放大效果近似等价于双结晶体管放大电路。()A.共射极B.共基极C.共集电极D.共栅极答案:C8.稳压型二极管的有效工作区在其伏安特性的。（）A.死区B.正向导通区C.反向区D.反向击穿区答案:D9.本征半导体温度升高后。()A.自由电子数量增多B.空穴数量增多C.自由电子与空穴同时增多，且数量相同D.自由电子与空穴数量不变答案:C10.有两个三极管，A管的＝200，=200A，B管的＝50，=10A，其他参数大致相同，则相比之下。()A.A管和B管的性能相当B.A管的性能优于B管C.B管的性能优于A管D.条件不足，无法判断答案:C11.当一个三极管的IB=10A时，其IC=lmA，那么它的交流电流放大系数为:。()A.100B.10C.1D.不确定答案:D12.当有用信号的频率高于5000Hz时，应采用的滤波电路是。()A.低通B.高通C.带通D.带阻答案:B13.如图所示电路中，当二极管的输入电压Ua=Ub=5V时，输出Uo的值为:。()A.-5VB.-4.3VC.4.3VD.5.3V答案:C14.差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。()A.共模增益的大小B.差模增益的大小C.抑制零漂的能力D.带负载能力答案:C15.共射极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。()A.同相B.反相C.相差90D.不确定，需要通过实际计算才得到答案:B16.RC桥式振荡电路的选频网络中，C=680pF，R可在23到47间进行调节，则振荡频率的变化范围为:。()A.4.98Hz~10.1HzB.4.98kHz~10.1kHzC.4.98Hz×10-3~10.1×10-3HzD.4.98kHz×103~10.1kHz×103答案:B17.给乙类互补对称功率放大电路加一合适的静态工作点，可消除。()A.线性失