第四章晶体硅太阳能电池及组件技术.PDF

第四章 晶体硅太阳能电池及组件技术 2 4.1 晶体硅太阳能电池制 作  晶体硅太阳电池结构 正面电极正面电极正面电极 减反射膜减反射膜减反射膜 nnn 型硅型硅型硅 pnpnpn 结结结 ppp 型硅型硅型硅 背面电极 背面电极 正面和背面的金属电极用来收集光激发的自由电子和空穴 ，对外输出电流； 减反射薄膜的作用是减小入射太阳光的反射率 ；pn结的作用是将光激发的 自由电子输送给n型硅，将自由空穴输送给p型硅。 3 1、制绒 2、扩散 3、等离子刻蚀 4、去磷硅玻璃 5、镀膜 6、印刷 4 制绒 作用 1、形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收 2 、去除硅片表面的机械损伤层 3、清除表面油污和金属杂质 陷光原理图示 5 表面清洗 硅片硅片 机械损伤层机械损伤层 约10微米约10微米 清洗清洗 在硅片的切割生产过程中会形成厚度达10微米左右的损伤层，且可能引 入一些金属杂质和油污。如果损伤层去除不足，残余缺陷在后续的高温处 理过程中向硅片深处继续延伸，会影响到太阳电池的性能。 6 制绒方法 单晶碱腐蚀—低浓度碱液，各向异性腐蚀 ， 得到金字塔型绒面结构 反应 原理 常用的： 7 多晶酸制绒方法 ：多晶制绒采用HF ，HNO 及水的按一定比 3 例混合进行，属各向同性制绒 反应原理： HNO3 ：强氧化剂 HF：反应的中间产物Si0 反应生成络合物H SiF 以促进反应进行； 2 2 6 水：对反应起缓冲作用； 反应中还会生成少量的HN02 ，它能促进反应的发生，因此这是一种自催化反应。 绒面：腐蚀凹坑的深度一般在4-5μm，制绒后反射率一般在25%上下 8 扩散 目的：1、形成PN结； 2、磷吸杂 在晶体内部实现P型和N 型半导体的接触。