第8章工业结晶过程与设备研究.pptVIP

* 初级成核 在没有晶体存在的条件下自发产生晶核的过程称为初次成核。 包括：均相初级成核： 非均相初级成核： 均相初级成核速率 临界粒径 工业简单经验公式 * 二次成核 在已有晶体存在的条件下产生晶核的过程为二次成核。 机理： 剪应力成核 接触成核 影响因素： 温度 过饱和度 碰撞能量 晶体的粒度与硬度 搅拌桨的材质 半经验公式： * 2.结晶生长动力学 2.1机理 在过饱和溶液中已有晶体形成或加入晶种后，以过饱和度为推动力，溶质质点会继续一层层地在晶体表面有序排列，晶体将长大，这个过程称为晶体生长。 晶体的扩散学说 * 溶质通过扩散作用穿过靠近晶体表面的一个滞流层，从溶液中转移到晶体的表面； 到达晶体表面的溶质长入晶面，使晶体增大，同时放出结晶热； 结晶热传递回到溶液中。 根据以上扩散学说，溶质依靠分子扩散作用，穿过晶体表面的滞留层，到达晶体表面；此时扩散的推动力是液相主体的浓度与晶体表面浓度差； 而第二步溶质长入晶面，则是表面化学反应过程，此时反应的推动力是晶体表面浓度与饱和浓度的差值。 * 2.2结晶生长速率 溶质扩散控制： 表面反应控制： 共同控制： 质量生长速率R与线生长速率G： 经验表达式： * 3.结晶物理环境对晶体生长过程的影响 主要因素：晶体内部单元对晶面的各种应力； 晶面与周围环境的各种作用。 杂质：改变晶体和溶液之间界面的滞留层特性，影响溶质长入晶体、改变晶体外形、因杂质吸附导致的晶体生长缓慢； 搅拌：加速晶体生长、加速晶核的生成； 温度：促进表面化学反应速度的提高，增加结晶速度； * 提高晶体质量的方法 晶体质量包括三个方面的内容： 晶体大小、形状和纯度 影响晶体大小的因素： 温度、晶核质量、搅拌等 影响晶体形状的因素： 改变过饱和度、改变溶剂体系、杂质 影响晶体纯度的因素： 母液中的杂质、结晶速度、晶体粒度及粒度分布 * 晶体结块 晶体结块是一种导致结晶产品品质劣化的现象，导致晶体结块的主要原因有： 结晶理论：由于某些原因造成晶体表面溶解并重结晶，使晶粒之间在接触点上形成固体晶桥，呈现结块现象； 毛细管吸附理论：由于晶体间或晶体内的毛细管结构，水分在晶体内扩散，导致部分晶体的溶解和移动，为晶粒间晶桥的形成提供饱和溶液，导致晶体结块。 * 重结晶 经过一次粗结晶后，得到的晶体通常会含有一定量的杂质。此时工业上常常需要采用重结晶的方式进行精制。 重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合适的溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体的操作。 * 重结晶的操作过程 选择合适的溶剂； 将经过粗结晶的物质加入少量的热溶剂中，并使之溶解； 冷却使之再次结晶； 分离母液； 洗涤； * 8.4 溶液结晶过程与设备 1.溶液结晶：晶体从过饱和的溶液中析出的过程。 冷却结晶法 蒸发结晶法 真空冷却结晶法 盐析（溶析）结晶法 反应结晶法 * （1）冷却结晶：不去除溶剂，通过冷却降温使溶液变成过饱和。 自然冷却：将热的结晶溶液置于无搅拌的有时甚至是敞口的结晶釜中，靠大气自然冷却而降温结晶。 间壁冷却：冷却结晶所需的冷却量由夹套或外换热器传递。 直接接触冷却：通过冷却介质与热结晶母液的直接混合而达到冷却结晶的目的。 * （2）蒸发结晶：除去一部分溶剂，使溶液在常压或减压下蒸发浓缩而达到过饱和。 优点：操作简单，可减压操作 缺点：消耗热能较多 （3）真空绝热冷却结晶：溶剂在真空下闪急蒸发而使溶液绝热冷却。 优点：设备简单，无换热面，操作稳定 缺点：较高真空度 * （4）盐析（溶析）结晶：向溶液中加入某些物质，降低溶质在原溶剂中的溶解度，从而产生过饱和度，进而结晶。 优点：温度较低，除杂容易 缺点：需回收设备 （5）反应结晶：气体与液体或液体与液体之间发生化学反应，反应产物在液相中的浓度超过饱和弄得以产生固体沉淀。 优点：速度快 缺点：控制过饱和度 * 2.典型的溶液结晶器 强迫外循环结晶器 流化床型结晶器 DTB型结晶器 * * DTB (Draft-tube-baffle) 结晶器 * 3.溶液结晶过程的操作与控制 连续结晶操作 优点： 连续操作的结晶器单位有效体积的生产能力比间歇结晶器高数倍至数十倍，占地面积较小。 操作参数稳定。 冷却法及蒸发法结晶时操作费用较低。 所需劳动量相对较小。 * 连续结晶过程的控制 细晶消除 产品粒度分级 清母液溢流 间歇结晶过程的控制 加晶种的控制结晶 间歇蒸发结晶的最佳操作程序 * 8.5 熔融结晶过程与设备 项目 溶液结晶过