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半导体的低温载流子冻析效应-内江师范学院
第 卷第 期 内江师范学院学报
31 6
No.6Vol.31 JOURNALOFNEIJIANGNORMALUNIVERSITY · ·
81
半导体的低温载流子冻析效应
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卫静婷 陈利伟
( , )
广东开放大学 广东理工职业学院 广东 广州
510091
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摘 要 根据半导体的电中性条件 并考虑了杂质浓度对杂质电离能的影响 利用计算机求解方法 得到费米
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能级的位置随温度和掺杂浓度的变化规律 从而得到不同掺杂浓度下杂质的离化率随温度的变化规律 对半导体
的载流子低温冻析效应进行了详细的分析.
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关键词 载流子统计分布 杂质电离 冻析效应
: / /
DOI10.13603 .cnki.51-1621z.2016.06.016
j
中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( )
O471.2 A 1671-1785201606-0081-04
半导体中载流子的统计分布是半导体物理学习 计算机求解的方法计算杂质在不同温度下的电离
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中的重点 也是半导体器件设计和研究的基础 一般 率 分析低温下半导体载流子的冻析效应
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的教学和实践中 根据不同的温度段导带 价带和杂
1 模型的建立
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质能级上的载流子的费米分布情况 载流子的电中
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性条件在可作相应的简化和处理 但不同温度段的 热平衡状态下 若杂质均匀分布 则半导体是电
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过渡区的分析十分困难 使用计算机处理的方法来 中性的 即空间任意一点处所有正电荷的浓度与所
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求解平衡载流子的电中性条件 可得到载流子在整 有负电荷的浓度相等 因此有
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