发光不衰减的多孔硅3-《物理》杂志.PDF

于折射率反差, 因此, 在前一种情况下, H - 偏 条新途径. 论文投稿到物理学权威杂志《Phys. 振模式的折射率要小于 E - 偏振模式的折射 Rev. Lett . 》后 ,两位审稿人均给予了很好的评 率, 即 ne no , 为正单轴晶体. 在后一种情况 价 ,认为作者在光子晶体的重要研究领域内 ,首 下, 则必须选择负单轴晶体, 使 ne no . 假如各 次发现并清晰地描述了一种崭新的设计方法. 向异性足够强烈, 两个模式的带隙可以完全重 论文在不到 3 个半月的时间内 , 就在《Phys. 叠, 产生最大的完全带隙. 另外, 为实现带隙的 Rev. Lett . 》上发表了. 完全重叠, 正单轴晶体所需的各向异性比负单 轴晶体的小, 实验上较为容易实现. 参 考 文 献 上述的设计思想同样地适用于其他晶格类 [ 1 ] Yablonovitch E. Phys. Rev. Lett. ,1987 ,58 :2059 —2062 型和原子构型的二维光子晶体. 当二维光子晶 [ 2 ] John S. Phys Rev. Lett. ,1987 ,58 :2486 —2489 [ 3 ] Joannopoulos J D , Villeneuve P R , Fan S. Nature ,1997 , 体是由均匀介质背景中的空气圆柱构成时, 在 386 :143 —149 正方晶格结构里, 利用各向异性材料, 能够使完 [ 4 ] Li Z Y ,Wang J , Gu B Y. Phys. Rev. B ,1998 ,58 :3721 — 全带隙的宽度增加到各向同性晶体的 2 —3 倍. 3729 上述的机制物理原理很简单, 但非常有效, [ 5 ] Li Z Y , Gu B Y , Yang G Z. Phys. Rev. Lett. ,1998 ,81 : 可以说开辟了设计二维光子晶体能带结构的一 2574 —2577 发光不衰减的多孔硅 李新建 　　张裕恒 ( 中国科学技术大学结构分析开放研究实验室　合肥　230026) 摘 　要 　　用一种新的方法制备出了具有不衰减的光致发光特性的多孔硅. 如此制备的多孔硅新鲜样 品 ,其发光峰位强度比普通多孔硅高 2 —2 5 倍. 将样品在室温下暴露于空气中 ,其发光强度在前 4 个月 中单调增加 ,然后达到饱和. 在随后的 8 个月中 ,没有观察到发光衰减 ,发光峰位也没有发生变化. 这种 发光稳定性被归因于多孔硅表面所形成的稳定的 Fe - Si 键. 文章探讨了发光不衰减、峰位不蓝移的机 理 ,并为多孔硅发光的量子限域模型提供了强有力的证据. 关键词 　　多孔硅 ,光致发光 ,量子限域模型 NONDEGRADING PHOTOL UMINESCENCE IN POROUS SIL ICON Li Xinjian 　　Zhang Yuheng ( St ruct ur