2.3_IC测试要求和步骤.pdfVIP

IC 测试要求和步骤 一、测试原理： 对于基于 CMOS 工艺制造的 IC 芯片，T3Ster 系统可以进行瞬态热测试，并 进而得出散热路径上的结构函数。 使用CMOS 工艺制造的芯片，在进行瞬态热测试的时候，将GND 管脚和Vdd 管脚找到，并在 GND 管脚接入正电压，Vdd 管脚接入负电压，电流流过 CMOS 电路的体二极管，使芯片发热，并进行测试。 图：IC 测试原理——CMOS 芯片的体二极管作为测试对象 或者选择IC 电路中的ESD 保护二极管作为测试的对象，进行瞬态热测试。 图：IC 测试原理——芯片的ESD 保护二极管作为测试对象 结构函数反映了从发热源（Die Chip）到环境（热沉，最后直线向上部分） 的热流路径上的所有热容与热阻分布。根据结构函数上斜率(热容与热阻的比值) 变化，可以区分出代表不同材料的线段。T3Ster 系统用直观的方式，帮助分析热 流路径上不同材料的热阻与热容。 图：IC 芯片测试后的结构函数 二、测试的准备和条件： 1，对于复杂的BGA IC 来说，首先要按照Bloc