共轭和临界双滑移取向cu单晶体疲劳位错结构的热稳定性研究.pdfVIP

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共轭和临界双滑移取向cu单晶体疲劳位错结构的热稳定性研究.pdf

共轭和临界双滑移取向cu单晶体疲劳位错结构的热稳定性研究

第 52卷 第 6期 金 属 学放 Vb1.52 NO.6 2016年 6月 第761-768页 ACTA METALLURGICA SINICA Jun.2016 PP.761—768 共轭和临界双滑移取向Cu单晶体疲劳 位错结构的热稳定性研究 郭巍巍 齐成军 李小武 1)东北大学材料科学与工程学院材料物理与化学研究所,沈阳 110819 2)东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室,沈阳 110819 摘 要 在不同塑性应变幅下对[:2231共轭双滑移和[017]11~界双滑移取向cu单晶体进行疲劳实验直至循环饱和。然后在不 同温度下进行退火处理,考察了其位错结构的热稳定性.结果表明,300℃退火处理后,位错结构发生了明显的回复:500和 800℃退火处理后,均发生了明显的再结晶现象,并伴随退火孪晶的形成.不同取向Cu单晶体循环变形后形成不同的位错 结构,其热稳定性由高到低依次为:脉络结构、驻留滑移带(PSB)结构、迷宫或胞结构.不同取向疲劳变形Cu单晶体中形成 的退火孪晶均沿着疲劳后开动的滑移面方向发展,疲劳后的滑移变形程度越高,退火后形成的孪晶数量则越多.但过高的 退火温度(如800℃)会加快再结晶晶界的迁移速率,进而抑制孪晶的形成,致使孪晶数量有所减少. 关键词 cu单晶体,疲劳位错结构,热稳定性,晶体取向,再结晶,退火孪晶 中图法分类号 TG115.2,TGll1.7 文献标识码 A 文章编号 0412—1961(2016)06—0761.08 INVESTIGATIoNSoN THERMALSTABILITY oF I LTIGUE DISLoCATIoN STRUCTURES IN CoNJUGATEAND CI TICALDoUBLE.SLIP. oRIENTED CuSINGLECRYSTALS GUOWeiwei Q1Chengjun LIXiaowu 1)InstituteofMaterialsPhysicsandChemistry,SchoolofMaterialsScienceandEngineering,Northeastern University,Shenyang110819,China 2)KeyLaboratoryforAnisotropyandTextureofMaterials,MinistryofEducation,NortheastemUniversity, Shenyang110819,China Correspondent:LIXiaowu。professor,Tel:(o24E—mail:xwli@mail.neu.edu.en Supported byNationalNaturalScienceFoundation of China (Nos51231002, nandSpecialedResearchFundfortheDoctoralPro— gramofHigherEducationofChina(No.2olloO42noo171 M anuscriptreceived2015—11—09.inrevisedform 2016—01—2O ABSTRACT ItiswellknownthatthecyclicdeformationbehavioranddislocationstructuresofCusinglecrys. talswithdifferentorientationshavebeensystematicallyinvestigatedandunderstood.However,thereisasyetno generalandunequivocalk

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