2012年电子技术(高教第2版)章节练习题三及答案.docVIP

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  • 2017-07-09 发布于江西
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2012年电子技术(高教第2版)章节练习题三及答案.doc

2012年电子技术(高教第2版)章节练习题三及答案

第三课习题 用万用表判别处于放大状态的某个晶体三极管的类型(指NPN管或PNP管)与三个电极时,最方便的方法是测出(B) A.各级间电阻 B.各级对地电位 C.各级的电流 三极管的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态分别是(C) A.截止或放大 B.截止或饱和 C.饱和或截止 某只处于放大状态的三极管,各极电位分别是UK=6V、UB=5.3V、UC=1V,则该管是(B) A.PNP锗管 B.PNP硅管 C.NPN硅管 实践中,判断三极管是否饱和,最简单可靠的方法是测量(D) A.IB B.IC C.UBE D.UCE 检修设备时,测得三极管的UCE≈0.3V,则可能是(B) A.RB开路 B.上偏置电阻RB太小 C. RC太小 下图中,处于放大状态的三极管是(B) 为使三极管处于放大状态,须使其(A) A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结和集电结均正偏 三极管的电流放大作用是用较小的(A)电流控制较大的(B)电流,所以三极管是一种电流控制元件。 A.基极 B.集电极 C.发射极 温度升高时,三极管的电流放大系数β(A),方向饱和电流ICBO(A),发射结电压UBE(B)。 A.变大 B.变小 C.不变 三极管具有电流放大作用的外部条件是(A)和(B)。 A.发射结正偏 B集电结反偏 C.发射结反偏 D.集电结均正偏 三极管具有电流放大作用的工艺措施是:(A)区中掺杂浓度高,(B)结的面积大,(C)区很薄。 A.发射 B.集电 C.基 某三极管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若它工作时电压UCE=10V,则工作电流IC不得超过(A)mA,若工作电流IC=1mA,则工作电压不得超过(B)V,若工作电压UCE=1V,则工作电流不得超过(C)mA 。 A.15 B.30 C.100 三极管穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流ICBO的(B)倍。在选用管子时,一般希望ICEO尽量(D)。 A. β B.1+β C.大 D.小 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(是NPN型还是PNP型)与三个电极时,以测出(B)最为方便。(电子技术基础试题汇编,模拟部分,P12,超星) A.各极间电阻 B.各极对地电位 C. 各极电流 在晶体管放大电路中,测得一个晶体管的各个电极的电位如图所示。则该晶体管是(A)。(来源同上) NPN型硅管,①——e,②——b,③——c; PNP型硅管,①——c,②——b,③——e; PNP型锗管,①——c,②——e,③——b; 在晶体管放大电路中,测得一个晶体管的各个电极的电位如图所示。则该晶体管是(B)。(来源同上) NPN型硅管,①——e,②——b,③——c; PNP型硅管,①——c,②——b,③——e; PNP型锗管,①——c,②——e,③——b; 在晶体管放大电路中,测得一个晶体管的各个电极的电位如图所示。则该晶体管是(C)。(来源同上) NPN型硅管,①——e,②——b,③——c; PNP型硅管,①——c,②——b,③——e; PNP型锗管,①——c,②——e,③——b; 在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示。已量出I1=-1.2mA,I2=-0.03mA,I3=1.23mA。由此可知:电极①是(A)极,电极②是(B)极,电极③是(C)极。(来源同上) A. c B. b C.e NPN型晶体管在(B)情况下IB=-IC?设电流正方向为流向电极。(来源同上) A. 射极短路 B. 射极开路 C.集电极开路 判断图中晶体三极管(硅管)的工作状态是(C)。 A.饱和 B.放大 C.截止 D.倒置 2

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