四川省2009年职高对口升学电子技术综合练习题五.docVIP

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  • 2017-07-09 发布于江西
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四川省2009年职高对口升学电子技术综合练习题五.doc

四川省2009年职高对口升学电子技术综合练习题五

四川省2009年职高对口升学电子技术综合练习题五 一、填空题: 1.纯净半导体又称 半导体,其内部空穴和自由电子数量 。P型半导体又称 半导体,其内部少数载流子是 。 2.硅管的门坎电压约为 伏,正向压降约为 伏,用万用表1k Ω挡测二极管的正反向电阻,阻值小的一次,红表笔接的是二极管 极。 3.ICEO称为三极管的 电流,它反映三极管的 。 4.如图1,二极管为理想器件,V1工作在 状态;V2工作在 状态;VAB为 伏。 5.如图2所示的全波整流输出电压VL=9V,负载电流IL=1A,那么变压器次级电压V2为 伏。二极管承受的最大反向电压VRM为 伏,流过二极管的平均电流IV为 安。 图1 图2 6.三极管工作在放大区时,其发射结两端加 ,集电结两端加 。 7.晶体三极管输出特性是指 和 的数量关系。 8.场效应管是 控制器件,用

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