2012年对口升学电工电子冲刺模拟试题五(含答案).docVIP

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2012年对口升学电工电子冲刺模拟试题五(含答案)

2012年对口升学电工电子冲刺模拟试题五(含答案) 题号 一 二 三 四 五 六 七 总分 得分 姓名 学号 班级 一、填空题(每空1分,共24 ∞ ,差模输入电阻 ∞ ,输出电阻 0 ,共模抑制比 ∞ 。 7、最小项方块图又称为 卡诺 图,三变量的最小项最多有 8 个。 8、用四位移位寄存器构成环形计数器时,有效状态共有 4 个;若构成扭环形计数器,则有效状态则有 8 个。构成一个六进制计数器至少需要 三 位触发器。 9、((365)10=( 101101101 )2=( 555 )8=( 16D )16 10、(11101)2=( 29 )10=( 35 )8=( 1D )16 二、判断正误题(每小题1分,共8分) 1、PN结正向偏置时内电场与外电场方向一致。 ( ) 2( ) ( ) R×1K欧姆档。 ( 对 ) 5、共射放大电路静态工作点过高时易造成饱和失真,输出电压呈上削波。 ( 错 ) 6、8421BCD码实际上就是二进制数码,对应二进制数0000~1111。 ( 错 ) 7、分析非线性集成运放时,不能应用“虚短”结论。 ( ) 。( ) 稳压二极管的正常工作状态是( ) A、导通状态 B、截止状态 C、反向击穿状态 D、任意状态 测得三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,三极管( )。 A、放大 B、饱和 C、截止A、、、 C ) A、主从结构触发器 B、维持阻塞触发器 C、钟控RS触发器 7、由四位D触发器构成的移位寄存器属于( )。 A、组合逻辑电路 B、异步时序逻辑电路 C、同步时序逻辑电路 8、( )。 A、 B、 C、9、共发射极放大电路的反馈元件是( )。 A、电阻RB B、电阻RE C、电阻RC 10、共集电极放大电路属于典型的( )电路。 A、 B、 四、简答题(每小题3分,共15分) 1、齐纳击穿和雪崩击穿的特点是什么?它们能否造成二极管的永久损坏?为什么? 答:雪崩击穿是一种碰撞的击穿,齐纳击穿属于场效应的击穿,这两种击穿均属于电击穿类型。只要是电击穿,一般过程可逆,只要限制在一定的击穿范围通常不会造成PN结的永久损坏。如果上述两种击穿不加任何限制而持续增强时,由于PN结上的热量积累就会造成热击穿,热击穿过程不可逆,可造成二极管的永久损坏。 2、试述计数器的“自启动能力”? 答:计数器启动后,可由任意状态转入自动循环体的能力称为“自启动能力”。 3、半导体和导体的导电机理有不同?图所示分压式偏置放大电路,已知CC=RC=KΩ,RB1=KΩ,RB2=0KΩ,RE=KΩ,β=0。求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ 2、用代数法或卡诺图法化简下列逻辑函数(6分) (1) 解: (2) 解: 3、图示电路为应用集成运放组成的测量电阻的原理电路,试写出被测电阻Rx与电压表电压U0的关系。 此电路为反相输入比例运算电路。 4、对下图所示电路进行分析,指出其电路功能。(8分) 解:①驱动方程:四位触发器均为D 触发器,D0=CP,D1=Q0n,D2=Q1n,D0=Q2n 次态方程:Q0n+1=D0n=CP,Q1n+1=D1n=Q0n,Q2n+1=D2n=Q1n,Q3n+1=D3n=Q2n 时钟方程:CP0=CP,CP1= Q1n ,CP2= Q2n ,CP3= Q3n ②画时序波形图分析 ③由波形图分析,可看出这是一个四位十进制的减计数器。 CE RE RB2 u0 ui + + C2 Q3 D Q Q Q2 D Q Q Q1 D Q Q Q0 D Q Q CP RD V Rx - + + 10V U0 ∞ 1MΩ Q2 Q1 Q3 Q0 CP +12V RB1 RC C1

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