geh／tt层间弱相互作用调控锗烯 - redisallcom.pdfVIP

物理 学 报 ActaPhys．Sin．Vo1．65，No．9(2016)096801 GeH／Tt层间弱相互作用调控锗烯 电子结构的机制术 武红 )2) 李峰1)2)t 1)(南京邮电大学理学院，南京 210046) 2)(南京师范大学化学与材料科学学院，南京 210046) (2015年12月22日收到；2016年2月5日收到修改稿) 锗烯是继石墨烯、硅烯发现以来最重要的二维纳米材料之一，以其优异 的物理化学性质迅速得到人们的 广泛关注．然而，锗烯具有的零带隙能带特点f狄拉克点)极大程度地限制了其在微电子纳米材料方面的应用． 本文采用范德华力修正的密度泛函计算方法，研究了锗烯、锗烷、锗烯／锗烷的几何和 电学性质．研究发现，锗 烯和锗烷可 以通过弱相互作用形成稳定的双层结构，并在锗烯中打开一个85meV的带隙．电子结构分析表 明，G H／的存在破坏了锗烯子晶格的对称性，从而在狄拉克点上打开一个带隙．差分 电荷密度 图分析表 明有部分电荷从H原子的S轨道转移至Ge的P 轨道．该电荷转移机制增强了锗烯与锗烷之间的相互作用力， 是形成锗烯 ／锗烷双层二维纳米结构的主要原因．进一步研究还发现，锗烷 ／锗烯 ／锗烷的三明治结构无法在锗 烯中打开带隙．这是由于两侧的锗烷对夹层的锗烯作用力等价，无法破坏锗烯的子晶格对称性，所 以无法打 开锗烯带隙．最后，所有计算结果都在高精度杂化密度泛函HSE06计算精度下得到进一步验证．因此，本文 从理论上提出了一种切实可行的打开锗烯狄拉克点的方法，为锗烯在场效应管和其他纳米材料中的应用提供 了理论指导． 关键词：锗烯，锗烷，弱相互作用，密度泛函 PACS：68．03．Hj，68．65．一k，73．90．+fj71．15．Mb DOI：10．7498／aps．65．096801 (一l06m／s)、量子自旋霍尔效应[10,11】和优异的抗 1 引 言 拉伸特性等 [12]，这使得锗烯在半导体材料、导电电 极、超导材料、生物传感器等方面具有重要的应用 石墨烯 自2004年首次在实验室合成以来一直 潜力．此外，锗烯与以硅、锗为基础的现代半导体 受到了研究者们的广泛关注 【，．十多年来，石墨 工业兼容度很高，这也是促使人们广泛关注锗烯的 烯材料的研究已经发展成为一个全新的研究领域， 另一个重要因素．然而，锗烯是一种半金属材料， 并促使人们寻找其他类似 的二维晶体材料，如硅 即无带隙材料，而经典的微电子器件需要一个合适 烯 h—BN MoS2【，0】、黑磷等．与石墨烯类似， 的带隙用于开关 电路 电流．因此，要实现锗烯的纳 锗烯是一种 由锗原子sD0杂化形成的单原子厚度的 米器件化，必须要在锗烯材料 中打开一个合适的 准二维纳米材料 7【，引．2014年，Li等首次在Pt(1l1) 带隙． 金属表面生长出了单层锗烯纳米材料，随后人们 共价功能化方法 fcovalentfunctionalization) 在Ag(1ll10【】和Au(111)表面也成功制备了单层锗 是一种有效打开锗烯带隙的方法．2011年，Houssa 烯．研究发现，锗烯与石墨烯十分类似，同时具有 等 [13】在理论上首次预言了全氢化锗烯的存在，即 诸多优异的物理化学性质，如超高的电子迁移率 锗烷．研究认为，通过氢化可 以将锗原子的sp2 }国家博士后基金 (批准号：2015M581824)和江苏省博士后基金 (批准号：15