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2017-07-09 发布于河南
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS505 NPN 9 GHz wideband transistor Product specification September 1995 / NXP Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFS505 FEATURES PINNING  Low current consumption PIN DESCRIPTION handbook, 2 columns 3  High power gain Code: N0  Low noise figure 1 base  High transition frequency 2 emitter  Gold metallization ensures 3 collector 1 2 excellent reliability Top view MBC870  SOT323 envelope. Fig.1 SOT323. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT323 envelope. It is intended for low power amplifiers, oscillators and mixers particularly in RF portable communication equipment (cellular phones, cordless phones, pagers) up to 2 GHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter   20 V VCES collector-emitter voltage R