第8章 89C51单片机系统扩展.pptVIP

第8章 89C51单片机的系统扩展; 单片机内部的ROM﹑RAM容量﹑定时器﹑I/O接口和中断源等资源往往有限，在实际应用中通常不够用，因此需要对单片机的资源扩展。 首先需要扩展的是程序存储器和数据存储器。单片机内部虽有一定数量的存储器，但常常不能满足实际需要，因此要求从外部进行扩展。 其次需要扩展的是输入/输出接口。单片机的主要用途是控制，因此它必须与外部设备打交道，也就是说它需要与外部的输入输出设备连接。单片机内部虽然设置了4个并行I/O口，用来与外围设备连接，但当外围设备较多时，I/O口就显得不够用。在大多数情况下，89C51系列单片机都需要扩展输入输出接口。;8.1 程序存储器的扩展;8.1.1 程序存储器的分类 ;1、掩膜编程的ROM 其编程由半导体厂家完成，根据用户提出的存储内容决定MOS管的连接方式，把存储内容制作在芯片上，用户不能更改所存入的信息。 特点：适合于大批量生产，结构简单、集成度高。成本高，只有大量生产定型ROM时才合算。 可用来存储一些标准程序：监控程序、汇编程序、BASIC语言的解释程序等；也可用来存储数学用表（正弦函数表、平方根表等）、代码转换表、逻辑函数表等。 ; 2、现场编程ROM（PROM） 也称可编程只读存储器PROM，指PROM的编程可在工作现场一次完成。出厂时并未存储任何信息，用户可根据自己的需要把信息写入，然后才能在系统中使用。但信息一旦写入，不能更改。 3、可改写、可编程ROM（EPROM） 用户对EPROM可自行写入信息，也可将信息全部擦去，重新写入。RPROM分为两种： 紫外线擦除— 称UVEPROM； 电擦除— 称EEPROM。 UVEPROM：用电信号编程，用紫外线擦除信息。 EEPROM ：用电信号编程，用电信号擦除信息。 4、Flash ROM 从EEPROM中分支出来，可电擦除，电写入，非易失性的闪速存储器。;8.1.2 典型程序存储器芯片介绍;2716的5种工作方式见表8-1。;2、2732EPROM存储器;2732的5种工作方式见表8-2。;3、2764EPROM存储器;2764A的5种工作方式见表8-3。;4、27128AEPROM存储器;27128A的5种工作方式见表8-4。;5、27256EPROM存储器;27256的5种工作方式见表8-5。;6、并行EEPROM存储器2817A;2817A的3种工作方式见表8-6。;7、并行EEPROM存储器2864A;2864A的4种工作方式见表8-7。;8.1.3 典型程序存储器的扩展方法;2、扩展两片EPROM;3．地址锁存器 在基本扩展电路中，都用到了地址锁存器。这是因为P0口是数据总线和低8位地址总线分时复用口，P0口输出的低8位地址必须用地址锁存器进行锁存。常用地址锁存器有74LS373、8282和74LS273等，其引脚图如图8-9所示。 ; 74LS273是带清除端的8D锁存器，只有清除端CLEAR为高电平时，才有锁存功能，锁存控制端为11脚CLK，且为上升沿锁存。 74LS373和8282都是带有三态门的8D锁存器。其原理结构图如图8-10所示。 图8-10 74LS373和8282的原理结构图 ; 当三态门的使能信号线为低电平时，三态门处于导通状态，允许Q端输出；当端为高电平时，输出三态门断开，输出端对外电路呈高阻状态。因此74LS373用作地址锁存器时，首先应使三态门的使能信号端为低电平，这时，当G输入端为高电平时，锁存器输出端（1Q～8Q）状态和输入端（1D～8D）状态相同；当G端从高电平返回低电平（下降沿）时，输入端数据锁存入1Q～8Q。 由图可以看出，三种锁存器管脚互不兼容，74LS373和8282的锁存控制端G和STB可直接与单片机的锁存控制信号端ALE相连，在ALE下降沿进行地址锁存。而74LS273的CLK是上升沿锁存，为了满足单片机地址锁存的时序，ALE端输出的锁存控制信号必须加反相器才能与CLK相连。 ; 使用74LS373、8282或74LS273作地址锁存器与单片机P0口的连接方法如图8-11所示。 图8-11 单片机P0口与地址锁存器的连接方法 ;8.1.4 典型程序存储器扩展电路;2716的寻址范围见P179-表8-8。 89C51内部有4K Flash ROM，故EA接高电平，系统从内部开始先读4K的程序，后自动转到外部程序存储器。片外ROM的起始地址应安排在1000H。 P2空余的几根线已不宜做通用I/O口线，否则给软件编写带来麻烦。只好作为其他芯片的片选线或译码器的输入。 ;2、扩展4KB的EPROM