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薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析 第39卷第l期 2006年1月 天津大学学报 JournalofTianjinUniversity V01.39No.1 Jan.20o6 薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析 张世林,李建恒,郭维廉,齐海涛,梁惠来 (大津大学电子信息J程学院,天津300072) 摘要:采用分子束外延方法生长了8nln基区的InGaP—GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体 管.该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目.讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负 阻特性及其物理机制.器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应.推出了 物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型.模拟结果符合制作器件的测量结果. 关键词:异质结晶体管;负阻特性;薄堆区;电路模拟 中图分类号:TN43l文献标志码:A文章编号:0493—2l37(2006)01—010905 NegativeDifferentialResistanceCharacteristicand AnalysisofThinBaseHBT ZHANGShi—lin,LIJian—heng,GUOWei—lian,QIHal—tao,LIANGHui—lai (SchoolofElectronicInformationEngineering,TianjinUniversit~,Tianjin300072,China) Abstract:InGaP—GaAsthinbase(8nm)dualheterojunctionmaterialisgrownbvmolecularbeamextension (MBE),andaheterojunctionbipolartransistor(HBT)withnegativedifferentialresistance(NDR)characteris— tieisfabrieated.NDRHBTcanheintegratedinhighspeedandhighfrequencydigitallogiccirt?uit,thenumber ofdevicescanbereducedgreatly.TheNDRcharacteristicandphysicalanalysisof’thinbaseHBTarepresen— ted.TheNDRcharacteristicofthisdeviceiScloselyrelativetoitsstructure.includingconduction})andspike andbasewidthnegativefeedbackeffect.Thephysicalformulasaregivenandthecircuitmodelisfoundedhy PSPICE.ThesimulatedresultiSclusetothemeasureoutcome. Keywords:heterojunctionbipolartransistor;negativedifferentialresistancecharacteristic;thinhase;circuit Simt11atiOn 异质结晶体管(heterojunctionbipolartransistor, HBT)是利用异质结工作的三端器件.器件结构的主要 特点是其PN结使用小同的材料制作,从l『If在界面七 出现能带的不连续,形成导带势垒尖峰△E对电子的 输运起到阻挡作用.同时,薄基区HBT还具有负阻特 性卜-,称为薄基区负阻异质结晶体管(thinbase negativedifferentialresistanceheterojunctionbipolartran? sistor,TBNDRHBT).随着分子束外延(molecularbeam extension,MBE)技术的发展,晶体管的基区越来越窄, 这就使基区薄层电阻n越来越大,基宽度调变效 应也随之凸现,这样薄基Ix二晶体管的基区电流和电压 收稿日期:2004—1I一30;修回日期:2005—04-30. 基金项目:同家重点荩础研究发展规划金资助项}{(2002CB3l1905) 作者简介:张世林(I953一),硕t,剐教授,zI1.sh.1@ex,rou.eoiii. 分l布宽基区的晶体管有很大不同.j极电流或电 压恒定时,随着集电极电压增大,晶体管工作在线 性区,集电极电流也增大.进一步增大,由于基 区宽度调变效应,R增大,降落在基的电压和发射 结电压也增大,这将导致导带势垒尖峰调制和基 区宽度负反馈两种效应出现.所渭导带势垒尖峰调制 效应,就是随着增大,AE:随之线性增大,阻挡 电子电流,降低发