北大本科微电子系的平时练习题.docVIP

第七章 MOS结构习题 1. 设，分别画出n-Si衬底的MOS电容（p-MOS）分别在平衡、平带、积累、耗尽、反型情形的能带图即理想的高频和低频CV曲线，并画出相应的等效电路图。 2. 设氧化层厚度为1(m的Si MOS结构的p型衬底的掺杂浓度分别为N＝1015/cm3和1016/cm3，比较这两种结构的耗尽层电容和MOS电容的极小值。 3. 从物理上说明随氧化层厚度及掺杂浓度的变化趋势。计算N，的Si MOS结构的值和德拜长度。 4. 在 MOS结构中，减薄氧化层厚度对C－V曲线有何影响？如果改变衬底掺杂浓度，对C－V曲线有何影响？ 5. 理想的低频C-V在强积累和强反型的电容值等于栅氧化层电容Cox，但在某些实验中观察到如下一些现象，分析其可能的物理机制： C-V曲线出现滞回现象； C-V曲线在耗尽区的斜率变缓； 栅电极为掺杂多晶硅时，反型层电容下降；如何减弱和消除该效应； 栅电极为金属栅，但强反型区电容值略低于强积累区电容；如何可减弱该效应； 6. 假定nMOS电容结构的金属栅电极的功函数为(M，半导体Si的亲和势为(，衬底掺杂浓度为Nd（功函数为(S），栅氧化层厚度为tox。在制备nMOS电容时氧化层中形成密度为Qf的正的固定电荷。 假设该正的固定电荷形成在氧化层与Si界面处，写出其平带电压表达式，示意画出其平衡能带图； 如果该正的固定电荷形成在氧化层中部即1/2to